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  • UCC27212 具有 5V UVLO 功能的 120V 3.7A/4.5A 半桥驱动器

    • ZHCSGD5B June   2017  – July 2024 UCC27212

      PRODUCTION DATA  

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  • UCC27212 具有 5V UVLO 功能的 120V 3.7A/4.5A 半桥驱动器
  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 开关特性
    7. 5.7 时序图
    8. 5.8 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 输入级
      2. 6.3.2 欠压锁定 (UVLO)
      3. 6.3.3 电平转换
      4. 6.3.4 自举二极管
      5. 6.3.5 输出级
    4. 6.4 器件功能模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1 功率耗散
      3. 7.2.3 应用曲线
  9. 8 电源相关建议
  10. 9 布局
    1. 9.1 布局指南
    2. 9.2 布局示例
      1. 9.2.1 散热注意事项
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 器件支持
      1. 10.1.1 第三方产品免责声明
    2. 10.2 文档支持
      1. 10.2.1 相关文档
    3. 10.3 接收文档更新通知
    4. 10.4 支持资源
    5. 10.5 商标
    6. 10.6 静电放电警告
    7. 10.7 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息
  14. 重要声明
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Data Sheet

UCC27212 具有 5V UVLO 功能的 120V 3.7A/4.5A 半桥驱动器

本资源的原文使用英文撰写。 为方便起见,TI 提供了译文;由于翻译过程中可能使用了自动化工具,TI 不保证译文的准确性。 为确认准确性,请务必访问 ti.com 参考最新的英文版本(控制文档)。

下载最新的英语版本

1 特性

  • 3.7A 输出拉电流、4.5A 输出灌电流
  • 最大启动电压 120VDC
  • 7V 至 17V VDD 工作范围
  • 20V 绝对最大 VDD 工作范围
  • 5V 关断欠压锁定 (UVLO)
  • 输入引脚可以耐受 -10V 至 +20V 的电压
  • 7.2ns 上升时间和 5.5ns 下降时间(1000pF 负载)
  • 20ns 典型传播延迟
  • 4ns 典型延迟匹配
  • 额定结温范围为 –40°C 至 +150°C

2 应用

  • 太阳能电源优化器和微型逆变器
  • 电信和商用电源
  • 在线和离线 UPS
  • 储能系统
  • 电池测试设备

3 说明

UCC27212 器件的峰值输出电流为 3.7A 拉电流和 4.5A 灌电流,能够驱动大功率 MOSFET。该器件具有一个额定电压为 120V 的片上自举二极管,因此无需外部分立式二极管。输入结构可以直接处理 –10V 电压,从而可提高稳健性,并且与电源电压无关。UCC27212 提供 5V 关断 UVLO,有助于降低功率损耗和增加输入迟滞,从而使得到模拟或数字 PWM 控制器连接增强了抗噪能力。UCC27212 的开关节点(HS 引脚)最高可处理 –(24 – VDD)V 电压,从而保护高侧通道不受固有负电压的影响。

器件信息
器件型号封装(1)本体封装尺寸(标称值)
UCC27212DPR(WSON,10)4.00mm x 4.00mm
(1) 如需了解所有可用封装,请参阅数据表末尾的可订购产品附录。
UCC27212 典型应用图典型应用图
UCC27212 传播延迟与电源电压间的关系 (T = 25°C)传播延迟与电源电压间的关系 (T = 25°C)

4 引脚配置和功能

UCC27212 DPR 封装SON-10顶视图图 4-1 DPR 封装SON-10顶视图
表 4-1 引脚功能
引脚 I/O 说明
编号 名称
2 HB P 高侧自举电源。自举二极管位于片上,但需要外部自举电容器。将自举电容器的正极侧连接到该引脚。HB 旁路电容器的典型范围为 0.022µF 至 0.1µF。
7 HI I 高侧输入。(2)
3 HO O 高侧输出。连接到高侧功率 MOSFET 的栅极。
4 HS P 高侧源极连接。连接到高侧功率 MOSFET 的源极。将自举电容器的负极侧连接到该引脚。
8 LI I 低侧输入。(2)
10 LO O 低侧输出。连接到低侧功率 MOSFET 的栅极。
5 N/C — 无内部连接。
6 N/C — 无内部连接。
Pad PowerPAD™(3) G 以 VSS (GND) 为电气基准。连接到热质量较大的布线或 GND 平面以提高热性能。
1 VDD P 低侧栅极驱动器的正电源。将该引脚去耦合至 VSS (GND)。典型去耦电容器范围为 0.22µF 到4.7µF。(1)
9 VSS G 器件的负电源端子,通常为接地。
(1) 假设 HI 或 LI 输入连接到低阻抗源信号。假设源输出阻抗小于 100Ω。如果源阻抗大于 100Ω,请在 HI 和 VSS 之间以及 LI 和 VSS 之间分别添加一个旁路电容器。添加的电容器值取决于引脚上出现的噪声水平,通常 1nF 至 10nF 应能有效消除可能的噪声影响。当 HI 或 LI 这两个引脚上出现噪声时,会导致 HO 和 LO 故障,产生错误的逻辑输出。
(2) 对于低温应用,TI 建议使用电容范围上限值。请遵循 PCB 布局的布局指南。
(3) 散热焊盘并不直接连接到封装的任何引线;而是以电气方式和热方式连接至基板,该基板是器件的接地板。

5 规格

5.1 绝对最大额定值

在自然通风条件下的工作温度范围内,且所有电压以 Vss 为基准(除非另有说明)。(1)
最小值 最大值 单位
VDD 电源电压 -0.3 20 V
VHI,VLI HI 和 LI 上的输入电压 -10 20 V
VLO LO 上的输出电压 DC -0.3 VDD + 0.3 V
重复脉冲 < 100 ns(2) -2 VDD + 0.3
VHO HO 上的输出电压 DC VHS – 0.3 VHB + 0.3 V
重复脉冲 < 100 ns(2) VHS – 2 VHB + 0.3
VHS HS 电压 直流 -1 100 V
重复脉冲 < 100ns(2) –(24V – VDD) 115
VHB HB 电压 -0.3 120 V
HB-HS 上的电压 -0.3 20 V
TJ 工作结温 -40 150 °C
Tstg 贮存温度 -65 150 °C
(1) 超出绝对最大额定值 运行可能会对器件造成永久损坏。绝对最大额定值 并不表示器件在这些条件下或在建议运行条件 以外的任何其他条件下能够正常运行。如果超出建议运行条件 但在绝对最大额定值 范围内使用,器件可能不会完全正常运行,这可能影响器件的可靠性、功能和性能并缩短器件寿命。
(2) 这些值根据特征进行验证,并未经过生产测试。

 

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