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UCC27212 器件的峰值输出电流为 3.7A 拉电流和 4.5A 灌电流,能够驱动大功率 MOSFET。该器件具有一个额定电压为 120V 的片上自举二极管,因此无需外部分立式二极管。输入结构可以直接处理 –10V 电压,从而可提高稳健性,并且与电源电压无关。UCC27212 提供 5V 关断 UVLO,有助于降低功率损耗和增加输入迟滞,从而使得到模拟或数字 PWM 控制器连接增强了抗噪能力。UCC27212 的开关节点(HS 引脚)最高可处理 –(24 – VDD)V 电压,从而保护高侧通道不受固有负电压的影响。
器件型号 | 封装(1) | 本体封装尺寸(标称值) |
---|---|---|
UCC27212 | DPR(WSON,10) | 4.00mm x 4.00mm |
引脚 | I/O | 说明 | |
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编号 | 名称 | ||
2 | HB | P | 高侧自举电源。自举二极管位于片上,但需要外部自举电容器。将自举电容器的正极侧连接到该引脚。HB 旁路电容器的典型范围为 0.022µF 至 0.1µF。 |
7 | HI | I | 高侧输入。(2) |
3 | HO | O | 高侧输出。连接到高侧功率 MOSFET 的栅极。 |
4 | HS | P | 高侧源极连接。连接到高侧功率 MOSFET 的源极。将自举电容器的负极侧连接到该引脚。 |
8 | LI | I | 低侧输入。(2) |
10 | LO | O | 低侧输出。连接到低侧功率 MOSFET 的栅极。 |
5 | N/C | — | 无内部连接。 |
6 | N/C | — | 无内部连接。 |
Pad | PowerPAD™(3) | G | 以 VSS (GND) 为电气基准。连接到热质量较大的布线或 GND 平面以提高热性能。 |
1 | VDD | P | 低侧栅极驱动器的正电源。将该引脚去耦合至 VSS (GND)。典型去耦电容器范围为 0.22µF 到4.7µF。(1) |
9 | VSS | G | 器件的负电源端子,通常为接地。 |
最小值 | 最大值 | 单位 | |||
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VDD | 电源电压 | -0.3 | 20 | V | |
VHI,VLI | HI 和 LI 上的输入电压 | -10 | 20 | V | |
VLO | LO 上的输出电压 | DC | -0.3 | VDD + 0.3 | V |
重复脉冲 < 100 ns(2) | -2 | VDD + 0.3 | |||
VHO | HO 上的输出电压 | DC | VHS – 0.3 | VHB + 0.3 | V |
重复脉冲 < 100 ns(2) | VHS – 2 | VHB + 0.3 | |||
VHS | HS 电压 | 直流 | -1 | 100 | V |
重复脉冲 < 100ns(2) | –(24V – VDD) | 115 | |||
VHB | HB 电压 | -0.3 | 120 | V | |
HB-HS 上的电压 | -0.3 | 20 | V | ||
TJ | 工作结温 | -40 | 150 | °C | |
Tstg | 贮存温度 | -65 | 150 | °C |