SN74LV1T32 单电源 2 输入正或门 CMOS 逻辑电平转换器
- ZHCSBS7D November 2013 – May 2024 SN74LV1T32
  
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SN74LV1T32 单电源 2 输入正或门
CMOS 逻辑电平转换器

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1 特性

V_CC 为 5.0V、3.3V、2.5V 和 1.8V 的单电源电压转换器
工作电压范围为 1.8V 至 5.5V
升压转换：
- 1.8V V_CC 时为 1.2V⁽¹⁾ 至 1.8V
- 2.5V V_CC 时为 1.5V⁽¹⁾ 至 2.5V
- 3.3V V_CC 时为 1.8V⁽¹⁾ 至 3.3V
- 5.0V V_CC 时为 3.3V 至 5.0V
降压转换：
- 1.8V V_CC 时为 3.3V 至 1.8V
- 2.5V V_CC 时为 3.3V 至 2.5V
- 3.3V V_CC 时为 5.0V 至 3.3V
逻辑输出以 V_CC 为基准
输出驱动：
- 电压为 5V 时，输出驱动为 8mA
- 电压为 3.3V 时，输出驱动为 7mA
- 电压为 1.8V 时，输出驱动为 3mA
3.3V V_CC 时，频率高达 50MHz
输入引脚可耐受 5V 电压
-40°C 至 125°C 工作温度范围
可提供无铅封装：SC-70 (DCK)
- 2mm x 2.1mm x 0.65mm（高度 1.1mm）
闩锁性能超过 250mA，
符合 JESD 17 规范
支持标准逻辑引脚排列
与 AUP1G 和 LVC1G 系列兼容的 CMOS 输出 B⁽¹⁾

1. 请参考较低 V_CC 条件下的 V_IH/V_IL 和输出驱动。

2 应用

3 说明

SN74LV1T32 是一款具有较低输入阈值的单路 2 输入或门，可支持电压转换应用。

封装信息

器件型号	封装⁽¹⁾	封装尺寸⁽²⁾	本体尺寸⁽³⁾
SN74LV1T32	DBV（SOT-23，5）	2.9mm × 2.8mm	2.9mm x 1.6mm
SN74LV1T32	DCK（SC70，5）	2.0mm × 2.1mm	2.0mm × 1.25mm

(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附录。

(2) 封装尺寸（长 × 宽）为标称值，并包括引脚（如适用）。

(3) 本体尺寸（长 x 宽）为标称值，不包括引脚。

1.8V 至 3.3V 转换的开关阈值

4 相关产品

器件	封装	说明
SN74LV1T00	DCK，DBV	2 输入正与非门
SN74LV1T02	DCK，DBV	2 输入正或非门
SN74LV1T04	DCK，DBV	反向器门
SN74LV1T08	DCK，DBV	2 输入正与门
SN74LV1T17	DCK、DBV	单路施密特触发缓冲门
SN74LV1T14	DCK，DBV	单施密特触发器反相器门
SN74LV1T32	DCK，DBV	2 输入正或门
SN74LV1T34	DCK、DBV	单路缓冲门
SN74LV1T86	DCK，DBV	单路 2 输入异或门
SN74LV1T125	DCK、DBV	具有三态输出的单路缓冲器门
SN74LV1T126	DCK、DBV	具有三态输出的单路缓冲器门
SN74LV4T125	RGY，PW	具有三态输出的四路总线缓冲器门

5 引脚配置和功能

SN74LV1T32 DCK 或 DBV 封装，5 引脚 SC70 或 SOT-23（顶视图）

图 5-1 DCK 或 DBV 封装，5 引脚 SC70 或 SOT-23（顶视图）

表 5-1 引脚功能

引脚		类型⁽¹⁾	说明
名称	编号	类型⁽¹⁾	说明
A	1	I	输入 A
B	2	I	输入 B
GND	3	G	地
支持	4	O	输出 Y
V_CC	5	P	正电源

(1) I = 输入，O = 输出

6 规格

6.1 绝对最大额定值

在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）⁽¹⁾

			最小值	最大值	单位
V_CC	电源电压范围		-0.5	7.0	V
V_I	输入电压范围⁽²⁾		-0.5	7.0	V
V_O	在高阻抗或断电状态对任一输出施加的电压范围⁽²⁾		-0.5	4.6	V
V_O	应用到任一处于高电平或低电平状态输出的电压范围⁽²⁾		-0.5	V_CC + 0.5	V
I_IK	输入钳位电流	V_I < 0		-20	mA
I_OK	输出钳位电流	V_O < 0 或 V_O > V_CC		±20	mA
I_O	持续输出电流			±25	mA
	通过 V_CC 或 GND 的持续电流			±50	mA
T_J	结温			150	°C
T_stg	贮存温度		-65	150	°C

(1) 应力超出绝对最大额定值 下所列的值可能会对器件造成永久损坏。这些仅为应力等级，并不表示器件在这些条件下以及在建议运行条件 以外的任何其他条件下能够正常运行。长时间处于绝对最大额定条件下可能会影响器件的可靠性。

(2) 如果遵守输入和输出电流额定值，有可能超过输入负电压和输出电压额定值。

6.2 ESD 等级

			值	单位
V_(ESD)	静电放电	人体放电模型 (HBM)，符合 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 标准，所有引脚⁽¹⁾	±2000	V
V_(ESD)	静电放电	充电器件模型 (CDM)，符合 JEDEC 规范 JESD22-C101，所有引脚⁽²⁾	±1000	V

(1) JEDEC 文档 JEP155 指出：500V HBM 支持在标准 ESD 控制流程下安全生产。

(2) JEDEC 文档 JEP157 指出：250V CDM 支持在标准 ESD 控制流程下安全生产。

6.3 建议运行条件

在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）⁽¹⁾

			最小值	最大值	单位
V_CC	电源电压		1.6	5.5	V
V_I	输入电压		0	5.5	V
V_O	输出电压		0	V_CC	V
I_OH	高电平输出电流	V_CC = 1.8V		-3	mA
		V_CC = 2.5V		-5
		V_CC = 3.3V		-7
		V_CC = 5.0V		-8
I_OL	低电平输出电流	V_CC = 1.8V		3	mA
		V_CC = 2.5V		5
		V_CC = 3.3V		7
		V_CC = 5.0V		8
Δt/Δv	输入转换上升或下降速率	V_CC = 1.8V		20	ns/V
		V_CC = 3.3V 或 2.5V		20
		V_CC = 5.0V		20
T_A	自然通风条件下的工作温度范围		-40	125	°C

(1) 器件所有的未使用输入必须保持在 V_CC 或 GND 以确保器件正常运行。请参阅 TI 应用报告 CMOS 输入缓慢或悬空的影响，文献编号 SCBA004。

6.4 热性能信息

热指标⁽¹⁾		DBV	DCK	单位
热指标⁽¹⁾		5 引脚	5 引脚	单位
R_θJA	结至环境热阻	278	289.2	°C/W

(1) 有关新旧热指标的更多信息，请参阅 IC 封装热指标 应用报告 SPRA953。

6.5 电气特性

在自然通风条件下的建议运行温度范围内测得（除非另有说明）

参数		测试条件	V_CC	T_A = 25°C			T_A = -40°C 至 125°C		单位
参数		测试条件	V_CC	最小值	典型值	最大值	最小值	最大值	单位
V_IH	高电平输入电压		1.65V 至 1.8V	0.94			1.0		V
			2.0V	0.99			1.03
			2.25V 至 2.5V	1.135			1.18
			2.75V	1.21			1.23
			3V 至 3.3V	1.35			1.37
			3.6V	1.47			1.48
			4.5V 至 5.0V	2.02			2.03
			5.5 V	2.1			2.11
V_IL	低电平输入电压		1.65V 至 2.0V			0.58		0.55	V
			2.25V 至 2.75V			0.75		0.71
			3V 至 3.6V			0.8		0.65
			4.5V 至 5.5V			0.8		0.8
V_OH		I_OH = -20µA	1.65V 至 5.5V	V_CC – 0.1			V_CC – 0.1		V
		I_OH = -2.0mA	1.65V	1.28			1.21		V
		I_OH = -2.0mA	1.8V	1.5			1.45		V
		I_OH = -3mA	2.3V	2.0			1.93		V
		I_OH = -3mA	2.5V	2.25			2.15		V
		I_OH = -3.0mA	3.0V	2.78			2.7		V
		I_OH = -5.5mA	3.0V	2.6			2.49
		I_OH = -5.5mA	3.3V	2.9			2.8
		I_OH = -4mA	4.5V	4.2			4.1		V
		I_OH = -8mA	4.5V	4.1			3.95
		I_OH = -8mA	5.0V	4.6			4.5
V_OL		I_OL = 20µA	1.65V 至 5.5V			0.1		0.1	V
		I_OL = 2.0mA	1.65V			0.2		0.25
		I_OH = 3mA	2.3 V			0.15		0.2
		I_OL = 3mA	3.0V			0.1		0.15
		I_OL = 5.5mA	3.0V			0.2		0.252
		I_OL = 4mA	4.5V			0.15		0.2
		I_OL = 8mA	4.5V			0.3		0.35
I_I	A 输入	V_I = 0V 或 V_CC	0V、1.8V、2.5V、 3.3V、5.5V			0.1		±1	μA
I_CC		V_I = 0V 或 V_CC， I_O = 0；负载开路	5.0V			1		10	μA
			3.3V			1		10
			2.5V			1		10
			1.8V			1		10
ΔI_CC		一个输入为 0.3V 或 3.4V 其他输入为 0V 或 V_CC， I_O = 0	5.5V			1.35		1.5	mA
ΔI_CC		一个输入为 0.3V 或 1.1V 其他输入为 0V 或 V_CC， I_O = 0	1.8V			10		10	μA
C_i		V_I = V_CC 或 GND	3.3V		2	10	2	10	pF
C_o		V_O = V_CC 或 GND	3.3V		2.5		2.5		pF

6.6 开关特性

在自然通风条件下的建议工作温度范围内测得（除非另有说明）（请参阅负载电路和电压波形）

参数	从（输入）	至（输出）	频率（典型值）	V_CC	C_L	T_A = 25°C			T_A = -65°C 至 125°C			单位
参数	从（输入）	至（输出）	频率（典型值）	V_CC	C_L	最小值	典型值	最大值	最小值	典型值	最大值	单位
t_pd	任意输入	Y	DC 到 50MHz	5.0V	15pF		4	5		4	5	ns
				5.0V	30pF		5.5	7.0		5.5	7.0	ns
				3.3V	15pF		4.8	5		5	5.5	ns
				3.3V	30pF		5	5.5		5.5	6.5	ns
			DC 到 25MHz	2.5V	15pF		6	6.5		7	7.5	ns
			DC 到 25MHz	2.5V	30pF		6.5	7.5		7.5	8.5	ns
			DC 到 15MHz	1.8 V	15pF		10.5	11		11	12	ns
			DC 到 15MHz	1.8 V	30pF		12	13		12	14	ns

6.7 工作特性

T_A = 25°C

参数		测试条件	V_CC	典型值	单位
C_pd	功率耗散电容	f = 1MHz 和 10MHz	1.8 V ± 0.15 V	14	pF
			2.5 V ± 0.2 V	14
			3.3 V ± 0.3 V	14
			5.5 V ± 0.5 V	14

6.8 典型特性

SN74LV1T32 出色的信号完整性（3.3V VCC 时为 1.8V 至 3.3V）

图 6-1 出色的信号完整性
（3.3V V_CC 时为 1.8V 至 3.3V）

SN74LV1T32 出色的信号完整性（1.8V VCC 时为 3.3V 至 1.8V）

图 6-3 出色的信号完整性
（1.8V V_CC 时为 3.3V 至 1.8V）

SN74LV1T32 出色的信号完整性（3.3V VCC 时为 3.3 V 至 3.3V）

图 6-2 出色的信号完整性
（3.3V V_CC 时为 3.3 V 至 3.3V）

7 参数测量信息

图 7-1 负载电路和电压波形