ZHCAFI3A May   2014  – July 2025 AM3352 , AM3354 , AM3356 , AM3357 , AM3358 , AM3359

 

  1.   1
  2.   AM335x 功耗估算工具
  3.   商标
  4. 1简介
  5. 2输入电子表格
    1. 2.1 宏按钮
    2. 2.2 A 部分：高级系统配置
    3. 2.3 B 部分：处理器
    4. 2.4 C 部分：外设
    5. 2.5 D 部分：模拟模块
  6. 3电子表格上传
  7. 4功耗分析报告
    1. 4.1 功耗估算报告表
    2. 4.2 模块使用率表
  8. 5总结
  9. 6参考资料
  10. 7修订历史记录

2.3 B 部分：处理器

此部分允许用户为 MPU 域和 CORE 域、MPU 利用率和 SGX 利用率设置工作性能点 (OPP)，如 表 2-3 中所示。

表 2-3 AM335x 输入电子表格的 B 部分
CORE OPP OPP100
MPU OPP OPP100
MPU 频率 (MHz) 600
ARM 子系统 利用率百分比
Cortex-A8 0
Cortex-A8 NEON 0
SGX 子系统（仅适用于启用 SGX 的器件） 利用率百分比
SGX 0

MPU 电压域 (VDD_MPU) 和 CORE 电压域 (VDD_CORE) 支持的 OPP 选项如下表所示。

表 2-4 ZCZ 封装的 PG1.0 VDD_CORE 运行性能点
VDD_CORE OPP 器件修订版本 留空(1) VDD_CORE DDR3，DDR3L [2] DDR2 [2] mDDR [2] L3 和 L4
最小值 标称值 最大值
OPP100 1.056V 1.100V 1.144V 400MHz 266MHz 200MHz 200MHz 和 100MHz
OPP50 0.912V 0.950V 0.988V — 125MHz 90MHz 100MHz 和 50MHz
(1) 此表中的频率表示给定 OPP 条件的最大性能。
(2) 此参数表示最大存储器时钟频率。由于数据是在双数据速率 (DDR) 时钟的两个边沿上传输的，因此最大数据速率是此表中定义的最大存储器时钟频率的两倍。
表 2-5 ZCZ 封装的 PG1.0 VDD_MPU 运行性能点
VDD_CORE OPP
器件修订版本 留空(1)		 VDD_MPU ARM (A8)
最小值 标称值 最大值
Turbo 1.210V 1.260V 1.326V 720MHz
OPP120 1.152V 1.200V 1.248V 600MHz
OPP100 [2] 1.056V 1.100V 1.144V 500MHz
OPP100 [3] 1.056V 1.100V 1.144V 275MHz
(1) 此表中的频率表示给定 OPP 条件的最大性能。
(2) 适用于所有可订购的 AM335_ZCZ_50（500MHz 速度等级）或更高的器件。
(3) 适用于所有可订购的 AM335_ZCZ_27（275MHz 速度等级）器件。
表 2-6 ZCE 封装的 PG1.0 VDD_CORE 运行性能点
VDD_CORE OPP 修订版本“A”或更高版本(1) VDD_MPU [2] ARM (A8) DDR3，
DDR3L [3]		 DDR2 [3] mDDR [3] L3 和 L4
最小值 标称值 最大值
OPP100 1.056V 1.100V 1.144V 500MHz 400MHz 266MHz 200MHz 200MHz 和 100MHz
OPP100 1.056V 1.100V 1.144V 275MHz 400MHz 266MHz 200MHz 200MHz 和 100MHz
(1) 此表中的频率表示给定 OPP 条件的最大性能。
(2) 在 ZCE 封装中，VDD_MPU 与 VDD_CORE 共用。
(3) 此参数表示最大存储器时钟频率。由于数据是在双数据速率 (DDR) 时钟的两个边沿上传输的，因此最大数据速率是此表中定义的最大存储器时钟频率的两倍。
表 2-7 ZCZ 封装的 PG2.1 VDD_CORE 运行性能点
VDD_MPP OPP 修订版本 A 或更高版本(1) VDD_CORE DDR3，DDR3L [2] DDR2 [2] mDDR [2] L3 和 L4
最小值 标称值 最大值
OPP100 1.056V 1.100V 1.144V 400MHz 266MHz 200MHz 200MHz 和 100MHz
OPP50 0.912V 0.950V 0.988V — 125MHz 90MHz 100MHz 和 50MHz
(1) 此表中的频率表示给定 OPP 条件的最大性能。
(2) 此参数表示最大存储器时钟频率。由于数据是在双数据速率 (DDR) 时钟的两个边沿上传输的，因此最大数据速率是此表中定义的最大存储器时钟频率的两倍。
表 2-8 ZCZ 封装的 PG2.1 VDD_MPU 运行性能点
VDD_CORE OPP
修订版本 A 或更高版本(1)		 VDD_MPU ARM (A8)
最小值 标称值 最大值
Nitro 1.272V 1.325V 1.378V 1GHz
Turbo 1.210V 1.260V 1.326V 800MHz
OPP120 1.152V 1.200V 1.248V 720MHz
OPP100 [2] 1.056V 1.100V 1.144V 600MHz
OPP100 [3] 1.056V 1.100V 1.144V 300MHz
OPP50 0.912V 0.950V 0.988V 300MHz
(1) 此表中的频率表示给定 OPP 条件的最大性能。
(2) 适用于所有可订购的 AM335_ZCZ_50（500MHz 速度等级）或更高的器件。
(3) 适用于所有可订购的 AM335_ZCZ_27（275MHz 速度等级）器件。
表 2-9 ZCE 封装的 PG2.1 VDD_CORE 运行性能点
VDD_CORE OPP 器件修订版本 留空(1) VDD_MPU [2] ARM (A8) DDR3，
DDR3L [3]		 DDR2 [3] mDDR [3] L3 和 L4
最小值 标称值 最大值
OPP100 1.056V 1.100V 1.144V 600MHz 400MHz 266MHz 200MHz 200MHz 和 100MHz
OPP100 1.056V 1.100V 1.144V 300MHz 400MHz 266MHz 200MHz 200MHz 和 100MHz
OPP50 0.912V 0.950V 0.988V 300MHz — 125MHz 90MHz 100MHz 和 50MHz
(1) 此表中的频率表示给定 OPP 条件的最大性能。
(2) 在 ZCE 封装中，VDD_MPU 与 VDD_CORE 共用。
(3) 此参数表示最大存储器时钟频率。由于数据是在双数据速率 (DDR) 时钟的两个边沿上传输的，因此最大数据速率是此表中定义的最大存储器时钟频率的两倍。

模块利用率是满足场景处理要求所需 OPP 上的可用 MHz 百分比。

为 Cortex-A8 ARM 处理器和 NEON SIMD 引擎提供了单独的利用率条目。

  • Cortex-A8（ARM Cortex-A8 处理器内核）：0 - 100%
  • Cortex-A8 NEON（通用 SIMD 引擎）：0 - 100%

对于图形加速器子系统，提供了一个单独的利用率条目：

  • SGX（2D、3D 图形加速器引擎）：0-100%