本应用简报介绍了单端初级电感转换器 (SEPIC) 和 Zeta 转换器。这两种拓扑都可以作为功率范围高达 25W 的降压/升压转换器具有成本效益的替代品。
SEPIC 拓扑可升高和降低输入电压。当开关 Q1 不导通时,能量从输入端转移到输出端。图 1 展示了非同步 SEPIC 的原理图。
方程式 1 计算连续导通模式 (CCM) 下的占空比:
方程式 2 计算最大金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 应力:
方程式 3 计算最大二极管应力:
其中
电感器-电容器 (LC) 滤波器 L1 和 Ci 指向 SEPIC 的输入。由于电流连续流动,这会导致输入端的纹波更小。在输出端,由于存在脉冲输出电流,因此纹波更大。
由于非同步 SEPIC 只需要一个栅极驱动器(而与之相比,双开关降压/升压转换器需要两个栅极驱动器)和两个半导体组件(而不是四个),因此它的成本低于降压/升压拓扑。SEPIC 相对于降压/升压拓扑的另一项优势是,当由于 SEPIC 存在连续输入电流,两个转换器都以降压模式运行时,它具有更好的电磁干扰 (EMI) 行为。
由于需要在低侧驱动 MOSFET Q1,因此使用升压控制器可轻松构建 SEPIC。
右半平面零点 (RHPZ) 是 SEPIC 可达到的调节带宽的限制因素。最大带宽约为 RHPZ 频率的五分之一。方程式 4 计算 SEPIC 传递函数的单个 RHPZ 频率的估算值:
因此,求解方程式 5 中的 s 得到一两个 RHPZ:
其中
图 2 至图 11 展示了非同步 SEPIC 中 FET Q1、电感器 L1、耦合电容器 C1、二极管 D1 和电感器 L2 在 CCM 下的电压和电流波形。
Zeta 拓扑可升高和降低输入电压。当开关 Q1 导通时,能量从输入端转移到输出端。图 12 展示了非同步 Zeta 转换器的原理图。
方程式 6 计算 CCM 下的占空比:
方程式 7 计算最大 MOSFET 应力:
方程式 8 计算最大二极管应力:
其中
Zeta 转换器中的 LC 滤波器 L2 和 Co 指向输出。由于输出电流是连续的,而输入电流是脉冲的,因此,与输入纹波相比,输出纹波更小。由于 SEPIC 或降压/升压转换器的输出纹波较高,因此不适合,建议为非常敏感的负载使用 Zeta 拓扑。与降压/升压转换器相比,Zeta 拓扑在成本和组件数量方面具有与 SEPIC 相同的优势。
可以使用降压控制器或转换器构建 Zeta 转换器;需要 P 沟道 MOSFET 或高侧 MOSFET 驱动器。
由于控制器可以立即对输出端的变化作出反应,因此 Zeta 转换器没有 RHPZ。因此,与 SEPIC 或降压/升压转换器相比,使用 Zeta 转换器可实现更高的带宽,同时使用更小的输出电容。
图 13 至 图 22 展示了非同步 Zeta 转换器中 FET Q1、电感器 L1、耦合电容器 C1、二极管 D1 和电感器 L2 在 CCM 下的电压和电流波形。
对于这两种拓扑,使用耦合电感器代替两个单独的电感器有两个优势。第一个优势是,由于通过耦合绕组来消除纹波,因此类似的电流纹波(与双电感器设计相比)只需要一半的电感。第二个优势是,可以消除由两个电感器和耦合电容器引起的传递函数谐振。如果需要,使用与耦合电容器 C1 并联的电阻器-电容器 (RC) 网络来抑制这种谐振。
使用耦合电感器的一个缺点是两个电感器必须使用相同的电感值。另一项限制通常是它们的电流额定值。具有高输出电流的应用有时可能需要单个电感器。
可以将两种拓扑配置为具有同步整流功能的转换器。但是,如果使用此方法,则必须对高侧栅极驱动信号进行交流耦合,因为许多控制器需要将其连接到开关节点。两种拓扑都有两个开关节点,请注意避免在开关引脚上出现负电压额定值违例。同步 SEPIC 和同步 Zeta 转换器的两个示例分别是 12V@5A 同步 SEPIC 转换器参考设计 和具有两个电感器的 40W 同步 Zeta 转换器参考设计。
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