BAW 谐振器技术

BAW 是一种微谐振器技术，能够将高精度和超低抖动时钟直接集成到包含其他电路的封装中。在 BAW 振荡器中，BAW 与以下各项集成：并置的精密温度传感器；超低抖动、低功耗分数输出分频器 (FOD)；单端 LVCMOS 和差分 LVPECL、LVDS 和 HCSL 输出驱动器，以及由多个低噪声 LDO 组成的小型电源复位时钟管理系统。

图 1-1 展示了 BAW 谐振器技术的结构。该结构包括一层夹在金属膜和其他层之间的压电式薄膜，用于限制机械能。BAW 利用这种压电式传导技术产生振动。

电网基础设施中的 BAW 振荡器

BAW 振荡器可在电网基础设施设计中用作直接替代产品。

图 1-2 和图 1-3 展示了智能仪表和包含 BAW 振荡器的交流充电（桩）站的基本方框图。凭借在频率格式和电压电平方面的灵活性，该器件能够在整个系统中满足替代时钟需求。

BAW 振荡器的优势

与 MEMS 和石英振荡器相比，BAW 振荡器的主要优势之一是其出色的抖动性能。图 1-4 展示了在 25MHz 输出时钟下 LMK6C (LVCMOS) BAW 振荡器的抖动性能。

TI 的 BAW 振荡器系列支持 1.8V、2.5V 和 3.3V 电源电压，并采用 DLE (3.2mm × 2.5mm) 和 DLF (2.5mm × 2mm) 封装，可节省紧凑型电路板设计的空间。图 1-5 在左侧展示了两种 BAW 振荡器布局，并与典型晶体布局和具有 BAW 振荡器组合的晶体进行了对比。

BAW 振荡器在温度稳定性和抗振性方面提供高度可靠性。图 1-6 将其在 -40°C 至 105°C 温度范围内的性能与石英进行了比较。在整个温度范围内，BAW 振荡器具有 ±10ppm 的频率精度。

图 1-7 展示了 BAW 振荡器的振动灵敏度。BAW 振荡器的典型振动灵敏度为 1ppb/g，这明显优于石英振荡器解决方案的 5-10ppb/g 灵敏度。