ZHCSF04 March   2016 CSD19505KTT

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特性
  2. 2应用
  3. 3说明
  4. 4修订历史记录
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6器件和文档支持
    1. 6.1 社区资源
    2. 6.2 商标
    3. 6.3 静电放电警告
    4. 6.4 Glossary
  7. 7机械、封装和可订购信息
    1. 7.1 KTT 封装尺寸
    2. 7.2 推荐的 PCB 布局
    3. 7.3 建议模板开口（模板厚度为 0.125mm）

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

1 特性

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • D2PAK 塑料封装

2 应用

  • 次级侧同步整流器
  • 电机控制

3 说明

这款 80V、2.6mΩ、D2PAK (TO-263) NexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。

空白

CSD19505KTT FET_Pins.gif

产品概要

TA=25°C 典型值 单位
VDS 漏源电压 80 V
Qg 栅极电荷总量 (10V) 76 nC
Qgd 栅极电荷 栅极到漏极 11 nC
RDS(on) 漏源导通电阻 VGS = 6V 2.9 mΩ
VGS = 10V 2.6 mΩ
VGS(th) 阈值电压 2.6 V

器件信息(1)

器件 数量 包装介质 封装 运输
CSD19505KTT 500 13 英寸卷带 D2PAK 塑料封装 卷带封装
CSD19505KTTT 50
  1. 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。

绝对最大额定值

TA = 25°C 值 单位
VDS 漏源电压 80 V
VGS 栅源电压 ±20 V
ID 持续漏极电流（受封装限制） 200 A
持续漏极电流（受芯片限制），TC = 25°C 时测得 212 A
持续漏极电流（受芯片限制），TC = 100°C 时测得 150 A
IDM 脉冲漏极电流(1) 400 A
PD 功率耗散 300 W
TJ，
Tstg 		工作结温，
储存温度		 -55 至 175 °C
EAS 雪崩能量，单一脉冲
ID = 101A，L = 0.1mH，RG = 25Ω		 510 mJ
  1. 最大 RθJC = 0.5°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%。

RDS(on) 与 VGS 间的关系

CSD19505KTT D007_SLPS587.gif

栅极电荷

CSD19505KTT D004_SLPS587_FP.gif