ZHCSQ99A March   2023  – April 2023 TPSF12C3

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 修订历史记录
  6. 5 器件比较表
  7. 6 引脚配置和功能
  8. 7 规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD Ratings
    3. 7.3 建议运行条件
    4. 7.4 热性能信息
    5. 7.5 电气特性
    6. 7.6 系统特性
    7. 7.7 典型特性
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能模块图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 有源 EMI 滤波
        1. 8.3.1.1 原理图
      2. 8.3.2 电容放大
      3. 8.3.3 集成线路抑制滤波器
      4. 8.3.4 补偿
      5. 8.3.5 远程启用
      6. 8.3.6 电源电压 UVLO 保护
      7. 8.3.7 热关断保护
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 关断模式
      2. 8.4.2 运行模式
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计 1 – 适用于电网基础设施应用的 AEF 电路
        1. 9.2.1.1 设计要求
        2. 9.2.1.2 详细设计过程
          1. 9.2.1.2.1 检测电容器
          2. 9.2.1.2.2 注入电容器
          3. 9.2.1.2.3 补偿网络
          4. 9.2.1.2.4 注入网络
          5. 9.2.1.2.5 浪涌保护
        3. 9.2.1.3 应用曲线
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 器件支持
      1. 10.1.1 第三方产品免责声明
      2. 10.1.2 开发支持
    2. 10.2 文档支持
      1. 10.2.1 相关文档
    3. 10.3 接收文档更新通知
    4. 10.4 支持资源
    5. 10.5 商标
    6. 10.6 静电放电警告
    7. 10.7 术语表
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

9.2.1.3 应用曲线

除非另有说明，否则 VVDD = VEN = 12V。

GUID-20230316-SS0I-QZDR-3TLC-NTSZPJHLWCPX-low.svg
注： 高 DM 噪声特征可能会掩盖与 AEF 相关的 CM 噪声性能的改善。减少 CM 扼流圈电感也可能减少漏电感，从而影响 DM 噪声衰减。根据需要，安装更高的 X 电容或分立式 DM 滤波电感器来管理 DM 衰减。另外，使用 DM-CM 噪声分离器来隔离测得的总噪声的 CM 分量。
图 9-5 AEF 导通和关断（EN 连接高电平和低电平）时的 CISPR 32 B 类 EMI 降噪结果
GUID-20221222-SS0I-SM06-21XF-MLH6LR73WKPN-low.svg图 9-6 IEC 61000-4-5 正浪涌，5kV 单次冲击 – 1µs/div (a)，200µs/div (b)
GUID-20221222-SS0I-XBBN-WSNJ-DSFCNC2HNCVW-low.svg图 9-7 IEC 61000-4-5 负浪涌，5kV 单次冲击 – 1µs/div (a)，200µs/div (b)
GUID-20221222-SS0I-BKHH-PQSD-LF5BMDNCDHNF-low.svg图 9-8 IEC 61000-4-5 浪涌，以 10 秒为间隔的 5kV 重复冲击 – 正 (a)，负 (b)

注： 浪涌测试电路使用 MOV (Littelfuse V20E300P)，它们从线路和中性滤波器输入端连接到机箱接地。请参阅图 9-11。