ZHCSXN0E March   2001  – January 2025 TPS792

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 欠压锁定 (UVLO)
      2. 6.3.2 关断
      3. 6.3.3 有源放电（新芯片）
      4. 6.3.4 折返电流限制
      5. 6.3.5 热保护
      6. 6.3.6 反向电流
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 正常运行
      2. 6.4.2 压降运行
      3. 6.4.3 禁用
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
      1. 7.1.1 可调节运行
      2. 7.1.2 退出压降
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1 电容器推荐
        2. 7.2.2.2 输入和输出电容器要求
        3. 7.2.2.3 降噪和前馈电容器要求
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
        1. 7.4.1.1 对于改进 PSRR 和噪声性能的电路板布局布线建议
        2. 7.4.1.2 功率耗散和结温
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 开发支持
        1. 8.1.1.1 评估模块
        2. 8.1.1.2 Spice 模型
      2. 8.1.2 器件命名规则
    2. 8.2 文档支持
      1. 8.2.1 相关文档
    3. 8.3 接收文档更新通知
    4. 8.4 支持资源
    5. 8.5 商标
    6. 8.6 静电放电警告
    7. 8.7 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

5.5 电气特性

在建议的工作温度范围内测得，TJ = –40°C 至 +125°C，VEN = VIN，VIN = VO(typ) + 1V，IOUT = 1mA，COUT = 10µF，CNR = 0.01µF（旧芯片）（除非另有说明）。所有典型值均在 TJ= 25°C 下测得。
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
VOUT 输出精度 TPS79201 (1) 0µA < IOUT < 100mA，1.22V < VOUT < 5.2V 0.98VOUT VOUT 1.02VOUT V
TPS79225（仅旧芯片） 0µA < IOUT < 100mA，1.22V < VOUT < 5.2V 2.45 2.5 2.55 V
TPS79228（仅旧芯片） 0µA < IOUT < 100mA，1.22V < VOUT < 5.2V 2.744 2.8 2.856 V
TPS79230 0µA < IOUT < 100mA，4V < VIN < 5.5V 2.94 3 3.06
IGND 静态电流（GND 电流） 0µA ≤ IO ≤ 100mA（旧芯片） 170 250 µA
0µA ≤ IO ≤ 100mA（新芯片） 250 1000
ΔVOUT/ΔIOUT 负载调整率(2) 0µA ≤ IOUT ≤ 100mA 5 mV
ΔVOUT/ΔVIN 线路调整 VOUT + 1V ≤ VIN ≤ 5.5V 0.05 0.12 %/V
Vn 输出噪声电压 (TPS7928)（仅限旧芯片） BW = 100Hz 至 100kHz，IOUT = 100mA CNR = 0.001µF 50 µVRMS
BW = 100Hz 至 100kHz，IOUT = 100mA CNR = 0.0047µF 33
BW = 100Hz 至 100kHz，IOUT = 100mA CNR = 0.01µF 31
BW = 100Hz 至 100kHz，IOUT = 100mA CNR = 0.1µF 27
输出噪声电压 (TPS79230) BW = 100Hz 至 100kHz，IOUT = 100mA （新芯片） 69
tSTR 启动时间 (TPS79230) RL = 14Ω，COUT = 1µF CNR = 0.001µF 50 µs
CNR = 0.0047µF 70
CNR = 0.01µF 90
（新芯片） 500
ICL 输出电流限制 VOUT = 0V（旧芯片） 285 600 mA
ICL 输出电流限制 VIN = VOUT(NOM) + 1V，VOUT = 0.9 x VOUT(NOM)（仅限新芯片） 320 460 mA
ISC 短路电流限制 VOUT = 0V（新芯片） 175 mA
ISHDN 关断电流 VEN = 0V，2.7V < VI < 5.5V（旧芯片） 0.07 1 µA
VEN = 0V，2.7V < VI < 5.5V（新芯片） 0.01 1
VEN(HI) 高电平使能输入电压 2.7V ≤ VIN ≤ 5.5V  1.7 VIN V
VEN(HI) 高电平使能输入电压 2.7V ≤ VIN ≤ 5.5V（新芯片） 0.85 VIN V
VEN(LOW) 低电平使能输入电压 2.7V ≤ VIN ≤ 5.5V 0 0.7 V
VEN(LOW) 低电平使能输入电压 2.7V ≤ VIN ≤ 5.5V（新芯片） 0 0.425 V
IEN 使能引脚电流 VEN = 0V -1 1 µA
VREF 内部基准 (TPS79201) 1.201 1.225 1.25 V
PSRR 电源抑制比 (TPS79228) f = 100Hz IOUT = 10mA（旧芯片） 70 dB
电源抑制比 (TPS79230) IOUT = 10mA（新芯片） 64
电源抑制比 (TPS79228) IOUT = 100mA（旧芯片） 72
电源抑制比 (TPS79230) IOUT = 100mA（新芯片） 64
电源抑制比 (TPS79228) f = 10kHz IOUT = 100mA（旧芯片） 75
电源抑制比 (TPS79230) IOUT = 100mA（新芯片） 49
电源抑制比 (TPS79228) f = 100kHz IOUT = 100mA（旧芯片） 47
电源抑制比 (TPS79230) IOUT = 100mA（新芯片） 39
VDO(3) 压降电压 (TPS79228) VIN= VOUT - 0.1V，IOUT = 100mA（仅限旧芯片） 60 110 mV
压降电压 (TPS79230) VIN= VOUT - 0.1V，IOUT = 100mA 55 100
VUVLO UVLO 阈值 VIN 上升（旧芯片） 2.25 2.65 V
VIN 上升（新芯片） 1.32 1.6
VUVLO(HYST) UVLO 迟滞 TJ = 25°C，VCC 上升（旧芯片） 100 mV
TJ = 25°C，VCC 上升（新芯片） 130
(1) 最小 IN 工作电压为 2.7V 或 VO(typ) + 1V，以较大者为准。最大 IN 电压为 5.5V。最大输出电流为 100mA。
(2) 如果 VOUT ≤ 2.5V，则 VIN(min) = 2.7V，VIN(max) = 5.5V：线路调整 (mV) = (%/V) * VOUT (VIN(max) - 2.7V)/100 * 100
(3) IN 电压等于 VOUT(nom) – 100mV；TPS79225 压降电压受输入电压范围限制。