ZHCSLX5C March 2021 – June 2025 TPS628501 , TPS628502 , TPS628503
PRODUCTION DATA
| 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 电源 | ||||||
| IQ | 静态电流 | EN = VIN,无负载,器件未开关,MODE = GND,VOUT = 0.6V | 17 | 36 | μA | |
| ISD | 关断电流 | EN = GND,TJ = 25°C 时的标称值,TJ = 150°C 时的最大值 | 1.5 | 48 | μA | |
| ISD | 关断电流 | EN = GND,TJ = -40°C 至 85°C,包括 HSFET 漏电 | 5.5 | μA | ||
| VUVLO | 欠压锁定阈值 | VIN 上升 | 2.45 | 2.6 | 2.7 | V |
| VIN 下降 | 2.1 | 2.5 | 2.6 | V | ||
| TJSD | 热关断阈值 | TJ 上升 | 170 | °C | ||
| 热关断迟滞 | TJ 下降 | 15 | °C | |||
| 控制和接口 | ||||||
| VEN,IH | EN 上的输入阈值电压,上升沿 | 1.05 | 1.1 | 1.15 | V | |
| VEN,IL | EN 上的输入阈值电压,下降沿 | 0.96 | 1.0 | 1.05 | V | |
| VIH | MODE/SYNC 上的高电平输入阈值电压 | 1.1 | V | |||
| IEN,LKG | 流入 EN 的输入漏电流 | VIH = VIN 或 VIL = GND | 125 | nA | ||
| VIL | MODE/SYNC 上的低电平输入阈值电压 | 0.3 | V | |||
| ILKG | 流入 MODE/SYNC 的输入漏电流 | 100 | nA | |||
| tDelay | 启用延迟时间 | 从 EN 高电平到器件开始开关的时间;已施加 VIN | 135 | 200 | 520 | µs |
| tDelay | 启用延迟时间 | 从 EN 高电平到器件开始开关的时间;已施加 VIN, VIN ≥ 3.3V |
480 | µs | ||
| tRamp | 输出电压斜坡时间 | 从器件开始开关到电源正常所需的时间;器件未处于电流限制状态 | 0.8 | 1.3 | 1.8 | ms |
| fSYNC | MODE/SYNC 引脚上用于同步的频率范围 | 1.8 | 4 | MHz | ||
| MODE/SYNC 上同步信号的占空比 | 20 | 80 | % | |||
| 锁定到外部频率所需的时间 | 50 | µs | ||||
| 用于实现逻辑低电平的 COMP/FSET 至 GND 电阻 | f = 2.25MHz 时的内部频率设置 |
0 | 2.5 | kΩ | ||
| COMP/FSET 上用于实现逻辑高电平的电压 | f = 2.25MHz 时的内部频率设置 |
VIN | V | |||
| VTH_PG | UVP 电源正常阈值电压; 直流电平 |
上升 (%VFB) | 92 | 95 | 98 | % |
| VTH_PG | UVP 电源正常阈值电压; 直流电平 |
下降 (%VFB) | 87 | 90 | 93 | % |
| VTH_PG | OVP 电源正常阈值电压; 直流电平 |
上升 (%VFB) | 107 | 110 | 113 | % |
| OVP 电源正常阈值电压; 直流电平 |
下降 (%VFB) | 104 | 107 | 111 | % | |
| VPG,OL | PG 上的低电平输出电压 | ISINK_PG = 2mA | 0.07 | 0.3 | V | |
| IPG,LKG | 流入 PG 的输入漏电流 | VPG = 5V | 100 | nA | ||
| tPG | PG 抗尖峰脉冲时间 | 对于电源正常输出上从高电平到低电平的转换 | 40 | µs | ||
| 输出 | ||||||
| VFB | 反馈电压,可调版本 | 0.6 | V | |||
| IFB,LKG | 流入 FB 的输入漏电流,可调版本 | VFB = 0.6V | 1 | 70 | nA | |
| VFB | 反馈电压精度 | PWM,VIN ≥ VOUT + 1V | -1 | 1 | % | |
| VFB | 反馈电压精度 | PFM,VIN ≥ VOUT + 1V,VOUT ≥ 1.0V,Co,eff ≥ 10µF,L = 0.47µH | -1 | 2 | % | |
| VFB | 反馈电压精度 | PFM,VIN ≥ VOUT + 1V,VOUT < 1.0V,Co,eff ≥ 15µF,L = 0.47µH |
-1 | 3 | % | |
| 负载调整率 | PWM | 0.05 | %/A | |||
| 线路调整 | PWM,IOUT = 1A,VIN ≥ VOUT + 1V | 0.02 | %/V | |||
| RDIS | 输出放电电阻 | 100 | Ω | |||
| fSW | PWM 开关频率范围 | MODE = 高电平,请参阅有关设置开关频率的 FSET 引脚功能 | 1.8 | 2.25 | 4 | MHz |
| fSW | PWM 开关频率范围 | MODE = 低电平,请参阅有关设置开关频率的 FSET 引脚功能 | 1.8 | 3.5 | MHz | |
| fSW | PWM 开关频率 | COMP/FSET 连接到 GND 或 VIN | 2.025 | 2.25 | 2.475 | MHz |
| fSW | PWM 开关频率容差 | 使用 COMP/FSET 到 GND 之间的电阻器 | -12 | 12 | % | |
| ton,min | 高侧 FET 的最短导通时间 | VIN = 3.3V,TJ = -40°C 至 125°C | 35 | 50 | ns | |
| ton,min | 低侧 FET 的最短导通时间 | 10 | ns | |||
| RDS(ON) | 高侧 FET 导通电阻 | VIN ≥ 5V |
65 | 120 | mΩ | |
| 低侧 FET 导通电阻 | VIN ≥ 5V | 33 | 70 | mΩ | ||
| 高侧 MOSFET 漏电流 | TJ = –40°C 至 85°C | 3.5 | µA | |||
| 高侧 MOSFET 漏电流 | 0.01 | 44 | µA | |||
| 低侧 MOSFET 漏电流 | TJ = –40°C 至 85°C | 5 | µA | |||
| 低侧 MOSFET 漏电流 | 0.01 | 70 | µA | |||
| SW 漏电流 | V(SW) = 0.6V,流入 SW 引脚的电流 | -0.05 | 11 | µA | ||
| ILIMH | 高侧 FET 开关电流限制 | 直流值,适用于 TPS628503; VIN = 3V 至 6V |
3.45 | 4.5 | 5.1 | A |
| ILIMH | 高侧 FET 开关电流限制 | 直流值,适用于 TPS628502; VIN = 3V 至 6V |
2.85 | 3.4 | 3.9 | A |
| ILIMH | 高侧 FET 开关电流限制 | 直流值,适用于 TPS628501; VIN = 3V 至 6V |
2.1 | 2.6 | 3.0 | A |
| ILIMNEG | 低侧 FET 负电流限制 | 直流值 | -1.8 | A | ||