ZHCSRU9A July   2024  – September 2025 TPS546C25

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1  D-CAP4 控制
        1. 6.3.1.1 环路补偿
      2. 6.3.2  内部 VCC LDO 以及在 VDRV 引脚上使用外部偏置电源
      3. 6.3.3  输入欠压锁定 (UVLO)
        1. 6.3.3.1 固定 VCC_OK UVLO
        2. 6.3.3.2 固定 VDRV UVLO
        3. 6.3.3.3 可编程 PVIN UVLO
        4. 6.3.3.4 控制 (CNTL) 使能
      4. 6.3.4  差分遥感和内部、外部反馈分压器
      5. 6.3.5  设置输出电压和 VORST#
      6. 6.3.6  启动和关断
      7. 6.3.7  动态电压压摆率
      8. 6.3.8  设置开关频率
      9. 6.3.9  开关节点 (SW)
      10. 6.3.10 过流限制和低侧电流检测
      11. 6.3.11 负过流限制
      12. 6.3.12 零交叉检测
      13. 6.3.13 输入过压保护
      14. 6.3.14 输出过压和欠压保护
      15. 6.3.15 过热保护
      16. 6.3.16 遥测
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 强制连续导通模式
      2. 6.4.2 DCM 轻负载运行
      3. 6.4.3 通过 12V 总线为该器件供电
      4. 6.4.4 通过分离轨配置为该器件供电
      5. 6.4.5 两相配置
      6. 6.4.6 引脚配置
        1. 6.4.6.1 对 MSEL1 进行编程
        2. 6.4.6.2 对 PMB_ADDR 进行编程
        3. 6.4.6.3 对 MSEL2 进行编程
        4. 6.4.6.4 对 VSEL\FB 进行编程
    5. 6.5 编程
      1. 6.5.1 支持的 PMBus® 命令
  8. 7 寄存器映射
    1. 7.1  记录块命令的约定
    2. 7.2  (01h) OPERATION
    3. 7.3  (02h) ON_OFF_CONFIG
    4. 7.4  (03h) CLEAR_FAULTS
    5. 7.5  (04h) PHASE
    6. 7.6  (09h) P2_PLUS_WRITE
    7. 7.7  (0Ah) P2_PLUS_READ
    8. 7.8  (0Eh) PASSKEY
    9. 7.9  (10h) WRITE_PROTECT
    10. 7.10 (15h) STORE_USER_ALL
    11. 7.11 (16h) RESTORE_USER_ALL
    12. 7.12 (19h) CAPABILITY
    13. 7.13 (1Bh) SMBALERT_MASK
    14. 7.14 (20h) VOUT_MODE
    15. 7.15 (21h) VOUT_COMMAND
    16. 7.16 (22h) VOUT_TRIM
    17. 7.17 (24h) VOUT_MAX
    18. 7.18 (25h) VOUT_MARGIN_HIGH
    19. 7.19 (26h) VOUT_MARGIN_LOW
    20. 7.20 (27h) VOUT_TRANSITION_RATE
    21. 7.21 (29h) VOUT_SCALE_LOOP
    22. 7.22 (2Ah) VOUT_SCALE_MONITOR
    23. 7.23 (2Bh) VOUT_MIN
    24. 7.24 (33h) FREQUENCY_SWITCH
    25. 7.25 (35h) VIN_ON
    26. 7.26 (36h) VIN_OFF
    27. 7.27 (39h) IOUT_CAL_OFFSET
    28. 7.28 (40h) VOUT_OV_FAULT_LIMIT
    29. 7.29 (41h) VOUT_OV_FAULT_RESPONSE
    30. 7.30 (42h) VOUT_OV_WARN_LIMIT
    31. 7.31 (43h) VOUT_UV_WARN_LIMIT
    32. 7.32 (44h) VOUT_UV_FAULT_LIMIT
    33. 7.33 (45h) VOUT_UV_FAULT_RESPONSE
    34. 7.34 (46h) IOUT_OC_FAULT_LIMIT
    35. 7.35 (48h) IOUT_OC_LV_FAULT_LIMIT
    36. 7.36 (49h) IOUT_OC_LV_FAULT_RESPONSE
    37. 7.37 (4Ah) IOUT_OC_WARN_LIMIT
    38. 7.38 (4Fh) OT_FAULT_LIMIT
    39. 7.39 (50h) OT_FAULT_RESPONSE
    40. 7.40 (51h) OT_WARN_LIMIT
    41. 7.41 (55h) VIN_OV_FAULT_LIMIT
    42. 7.42 (60h) TON_DELAY
    43. 7.43 (61h) TON_RISE
    44. 7.44 (64h) TOFF_DELAY
    45. 7.45 (65h) TOFF_FALL
    46. 7.46 (78h) STATUS_BYTE
    47. 7.47 (79h) STATUS_WORD
    48. 7.48 (7Ah) STATUS_VOUT
    49. 7.49 (7Bh) STATUS_IOUT
    50. 7.50 (7Ch) STATUS_INPUT
    51. 7.51 (7Dh) STATUS_TEMPERATURE
    52. 7.52 (7Eh) STATUS_CML
    53. 7.53 (7Fh) STATUS_OTHER
    54. 7.54 (80h) STATUS_MFR_SPECIFIC
    55. 7.55 (88h) READ_VIN
    56. 7.56 (8Bh) READ_VOUT
    57. 7.57 (8Ch) READ_IOUT
    58. 7.58 (8Dh) READ_TEMPERATURE_1
    59. 7.59 (98h) PMBUS_REVISION
    60. 7.60 (99h) MFR_ID
    61. 7.61 (9Ah) MFR_MODEL
    62. 7.62 (9Bh) MFR_REVISION
    63. 7.63 (ADh) IC_DEVICE_ID
    64. 7.64 (AEh) IC_DEVICE_REV
    65. 7.65 (D1h) SYS_CFG_USER1
    66. 7.66 (D3h) PMBUS_ADDR
    67. 7.67 (D4h) COMP
    68. 7.68 (D5h) VBOOT_OFFSET_1
    69. 7.69 (D6h) STACK_CONFIG
    70. 7.70 (D8h) PIN_DETECT_OVERRIDE
    71. 7.71 (D9h) NVM_CHECKSUM
    72. 7.72 (DAh) READ_TELEMETRY
    73. 7.73 (DBh) STATUS_ALL
    74. 7.74 (DDh) EXT_WRITE_PROTECTION
    75. 7.75 (DEh) IMON_CAL
    76. 7.76 (FCh) FUSION_ID0
    77. 7.77 (FDh) FUSION_ID1
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 应用
      2. 8.2.2 设计要求
      3. 8.2.3 详细设计过程
        1. 8.2.3.1 输入电容器选型
        2. 8.2.3.2 电感器选型
        3. 8.2.3.3 输出电容器选型
        4. 8.2.3.4 补偿选择
        5. 8.2.3.5 VCC 和 VDRV 旁路电容器
        6. 8.2.3.6 启动电容器选型
        7. 8.2.3.7 VOSNS 和 GOSNS 电容器选型
        8. 8.2.3.8 PMBus® 地址电阻器选型
      4. 8.2.4 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
        1. 8.4.2.1 TPS546C25EVM 上的热性能表现
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.43 (61h) TON_RISE

CMD 地址61h
写入事务：写入字
读取事务：读取字
格式：LINEAR11
NVM 备份：EEPROM 或引脚检测
更新：动态

TON_RISE 命令会设置从输出开始上升到电压进入稳压范围的时间（以毫秒为单位），这可以有效地设置软启动期间基准 DAC 的压摆率。使用 VOUT_COMMAND 进行引导时，软启动时间与 TON_RISE 选择不同。有关更多详细信息，请参阅启动和关断部分。

返回到支持的 PMBus 命令。

图 7-51 (61h) TON_RISE 寄存器映射
15 14 13 12 11 10 9 8
R R R R R R R R
EXPONENT TON_RISE
7 6 5 4 3 2 1 0
R R RW RW RW RW RW RW
TON_RISE
说明：R/W = 读取/写入；R = 只读
表 7-55 寄存器字段说明
位 字段 访问 复位 说明
15:11 EXPONENT R 11111b 线性格式二进制补码指数。该指数不可编程，其结果为 0.5ms LSB。
10:6 保留 R 00000b 未使用，始终设置为 0。
5:0 TON_RISE R/W 000000b 这些位选择 TON_RISE 时间。

数据有效性

可写位中的每个尾数二进制值都是可写和可读的。但是，实际分频器设置为最接近的受支持值。此外，针对硬件中支持的每个设置，从 EEPROM 恢复的尾数值是固定的。

尝试更改只读位 (TON_RISE[15:6]) 将被视为无效/不受支持的数据。器件将 NACK 不受支持的数据，并且接收到的值将被忽略。将设置 STATUS_BYTE 中的“cml”位和 (7Eh) STATUS_CML 寄存器中的“ivd”位。

表 7-56 TON_RISE 支持的值和 EEPROM 恢复值
TON_RISE [5:0] TON_RISE (ms)
大于或等于 小于
2d 0.5
2d 4d 1
4d 8d 2
8d 16d 4
16d 32d 8
32d 64d 16