ZHCSVB9 数据表 | 德州仪器 TI.com.cn

ZHCSVB9 December 2024 TPS25984B

PRODUCTION DATA

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)

RZJ|32
- MPQF664A

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

RZJ|32
- QFND783

订购信息

zhcsvb9_oa

7.3.4.1 压摆率 (dVdt) 和浪涌电流控制

在热插拔事件期间或尝试为大输出电容充电时，可能会存在较大的浪涌电流。如果浪涌电流管理不当，浪涌电流可能会损坏输入连接器并导致系统电源电压下降。此操作可能导致系统其他地方意外重启。导通期间的浪涌电流与负载电容和上升压摆率成正比。可以使用方程式 2 来确定在给定负载电容 (C_LOAD) 下限制浪涌电流 (I_INRUSH) 所需的压摆率 (SR)：

方程式 2.

S R (V / m s) = \frac{I_{I N R U S H} (A)}{C_{L O A D} (m F)}

可以在 dVdt 引脚上添加一个电容器，以控制导通期间的上升压摆率并降低浪涌电流。可以使用方程式 24 计算产生给定压摆率所需的 C_dVdt 电容。

对于 B0/1/3 型号：

方程式 3.

C_{D V D T} (p F) = \frac{51300}{S R (V / m s)}

对于 B2 型号：

方程式 4.

C_{D V D T} (p F) = \frac{135000}{S R (V / m s)}

通过使 dVdt 引脚保持开路，可以实现最快的输出压摆率。

注：

高输入压摆率和高输入电源路径电感相结合会导致启动期间出现振荡。可使用以下一个或多个步骤缓解此问题：
1. 降低输入电感。
2. 增大 VIN 引脚上的电容。
3. 增大 DVDT 引脚电容，以降低压摆率或增加启动时间。TI 建议使用 5ms 最短启动时间。