ZHCSLF3B June   2020  – August 2025 TLV740P

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 折返电流限制
      2. 6.3.2 输出使能
      3. 6.3.3 有源放电
      4. 6.3.4 欠压锁定 (UVLO) 操作
      5. 6.3.5 压降电压
      6. 6.3.6 热关断
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 器件功能模式比较
      2. 6.4.2 正常运行
      3. 6.4.3 压降运行
      4. 6.4.4 禁用
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
      1. 7.1.1 建议的电容器类型
      2. 7.1.2 输入和输出电容器要求
      3. 7.1.3 压降电压
      4. 7.1.4 退出压降
      5. 7.1.5 瞬态响应
      6. 7.1.6 反向电流
      7. 7.1.7 功率耗散 (PD)
        1. 7.1.7.1 估算结温
        2. 7.1.7.2 建议的连续运行区域
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 最佳设计实践
    4. 7.4 电源相关建议
    5. 7.5 布局
      1. 7.5.1 布局指南
      2. 7.5.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 开发支持
        1. 8.1.1.1 器件命名规则
    2. 8.2 文档支持
      1. 8.2.1 相关文档
    3. 8.3 接收文档更新通知
    4. 8.4 支持资源
    5. 8.5 商标
    6. 8.6 静电放电警告
    7. 8.7 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.1.3 压降电压

器件使用一个 PMOS 传输晶体管来实现低压降。当 (VIN – VOUT) 低于压降电压 (VDO) 时，PMOS 传输器件处于其运行的线性区域，此时输入到输出电阻是 PMOS 传输元件的 RDS(on)。VDO 大致与输出电流成比例，因为 PMOS 器件在压降时的行为类似于电阻器。与任何线性稳压器一样，当 (VIN – VOUT) 接近压降时，PSRR 和瞬态响应性能下降。