ZHCSEU4A March   2016  – March 2016 TLV2314 , TLV314 , TLV4314

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 器件比较表
  6. 6 引脚配置和功能
  7. 7 技术规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD 额定值
    3. 7.3 建议的工作条件
    4. 7.4 热性能信息：TLV314
    5. 7.5 热性能信息：TLV2314
    6. 7.6 热性能信息：TLV4314
    7. 7.7 电气特性
    8. 7.8 典型特性
    9. 7.9 典型特性
  8. 8 详细 说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能框图
    3. 8.3 特性 说明
      1. 8.3.1 工作电压
      2. 8.3.2 轨至轨输入
      3. 8.3.3 轨至轨输出
      4. 8.3.4 共模抑制比 (CMRR)
      5. 8.3.5 电容负载和稳定性
      6. 8.3.6 EMI 易感性和输入滤波
    4. 8.4 器件功能模式
  9. 9 应用和实现
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计流程
      3. 9.2.3 应用曲线
    3. 9.3 系统示例
  10. 10电源相关建议
    1. 10.1 输入和 ESD 保护
  11. 11布局布线
    1. 11.1 布局布线指南
    2. 11.2 布局示例
  12. 12器件和文档支持
    1. 12.1 器件支持
    2. 12.2 文档支持
      1. 12.2.1 相关文档
    3. 12.3 相关链接
    4. 12.4 社区资源
    5. 12.5 商标
    6. 12.6 静电放电警告
    7. 12.7 Glossary
  13. 13机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7 技术规格

7.1 绝对最大额定值

在自然通风温度范围内测得（除非另有说明）(1)
最小值 最大值 单位
电源电压 7 V
信号输入引脚 电压(2) (V–) – 0.5 (V+) + 0.5 V
电流(2) -10 10 mA
输出短路(3) 连续 mA
温度 指定温度，TA -40 125 °C
结温，TJ 150
存储温度，Tstg -65 150
(1) 超过这些额定值的应力有可能造成永久损坏。长时间处于最大绝对额定情况下会降低设备的可靠性。这些只是应力额定值，在这些值或者任何超过那些所标明的条件下的功能运行并未注明。
(2) 输入引脚被二极管钳制至电源轨。摆幅超过电源轨 0.5V 的输入信号的电流必须限制在 10mA 或者更少。
(3) 对地短路，每个封装对应一个放大器。

7.2 ESD 额定值

值 单位
V(ESD) 静电放电 人体放电模式 (HBM)，符合 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001(1) ±4000 V
充电器件模式 (CDM)，符合 JEDEC 规范 JESD22-C101(2) ±1000
(1) JEDEC 文档 JEP155 规定：500V HBM 能够在标准 ESD 控制流程下安全生产。
(2) JEDEC 文档 JEP157 规定：250V CDM 能够在标准 ESD 控制流程下安全生产。

7.3 建议的工作条件

在自然通风条件下的工作温度范围内（除非另有说明）
最小值 标称值 最大值 单位
VS 电源电压 单电源 1.8 5.5 V
双电源 ±0.9 ±2.75
指定温度范围 -40 125 °C

7.4 热性能信息：TLV314

热指标(1) TLV314 单位
DBV (SOT-23) DCK (SC70)
5 引脚 5 引脚
RθJA 结至环境热阻 228.5 281.4 °C/W
RθJC(top) 结至芯片外壳（顶部）热阻 99.1 91.6 °C/W
RθJB 结至电路板热阻 54.6 59.6 °C/W
ψJT 结至顶部的特征参数 7.7 1.5 °C/W
ψJB 结至电路板的特征参数 53.8 58.8 °C/W
(1) 有关传统和新热指标的更多信息，请参见《半导体和 IC 封装热指标》应用报告，SPRA953。

7.5 热性能信息：TLV2314

热指标(1) TLV2314 单位
D (SOIC) DGK (VSSOP)
8 引脚 8 引脚
RθJA 结至环境热阻 138.4 191.2 °C/W
RθJC(top) 结至芯片外壳（顶部）热阻 89.5 61.9 °C/W
RθJB 结至电路板热阻 78.6 111.9 °C/W
ψJT 结至顶部的特征参数 29.9 5.1 °C/W
ψJB 结至电路板的特征参数 78.1 110.2 °C/W
(1) 有关传统和新热指标的更多信息，请参见《半导体和 IC 封装热指标》应用报告，SPRA953。

7.6 热性能信息：TLV4314

热指标(1) TLV4314 单位
D (SOIC) PW (TSSOP)
14 引脚 14 引脚
RθJA 结至环境热阻 93.2 121 °C/W
RθJC(top) 结至芯片外壳（顶部）热阻 51.8 49.4 °C/W
RθJB 结至电路板热阻 49.4 62.8 °C/W
ψJT 结至顶部的特征参数 13.5 5.9 °C/W
ψJB 结至电路板的特征参数 42.2 62.2 °C/W
(1) 有关传统和新热指标的更多信息，请参见《半导体和 IC 封装热指标》应用报告，SPRA953。

7.7 电气特性

VS = 1.8V 至 5.5V；TA = 25°C 时，RL = 10kΩ 连接至 VS/2，VCM = VS/2，且 VOUT = VS/2（除非另外注明）(1)
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
偏移电压
VOS 输入失调电压 VCM = (VS+) – 1.3V，TA = 25°C ±0.75 ±3 mV
dVOS/dT VOS 与温度间的关系 TA=-40°C 至 +125°C 2 μV/°C
PSRR 电源抑制比 VCM = (VS+) – 1.3V，TA = 25°C ±30 ±135 µV/V
通道分离，直流 直流时，TA = 25°C 100 dB
输入电压范围
VCM 共模电压范围 TA = 25°C (V-)-0.2 (V+)+0.2 V
CMRR 共模抑制比 VS = 5.5V，(VS–) – 0.2V < VCM < (VS+) – 1.3V，
TA = 25°C		 72 96 dB
VS=5.5V，VCM=–0.2V 至 5.7V(2)，TA = 25°C 75
输入偏置电流
IB 输入偏置电流 TA = 25°C ±1.0 pA
IOS 输入失调电流 TA = 25°C ±1.0 pA
噪声
输入电压噪声（峰值至峰值） f=0.1Hz 至 10Hz，TA = 25°C 5 μVPP
en 输入电压噪声密度 f=10kHz，TA = 25°C 15 nV/√Hz
f = 1kHz，TA = 25°C 16
in 输入电流噪声密度 f=1kHz，TA = 25°C 6 fA/√Hz
输入电容值
CIN 输入电容 差动 VS = 5V，TA = 25°C 1 pF
共模 VS = 5V，TA = 25°C 5
开环增益
AOL 开环电压增益 VS = 1.8V 至 5.5V，0.2V < VO < (V+) – 0.2V，
RL = 10kΩ，TA = 25°C		 85 115 dB
VS = 1.8V 至 5.5V，0.5V < VO < (V+) – 0.5V，
RL = 2kΩ(2)，TA = 25°C		 85 100
相补角 VS = 5V，G = 1，RL = 10kΩ，TA = 25°C 65 °
频率响应
GBW 带宽增益产品 VS=1.8V，RL=10kΩ，CL=10pF，TA = 25°C 2.7 MHz
VS = 5V，RL = 10kΩ，CL = 10pF，TA = 25°C 3
SR 转换速率(3) VS = 5V，G = 1，TA = 25°C 1.5 V/μs
tS 稳定时间 至 0.1%，VS = 5V，2V 步进，G = 1，TA = 25°C 3 μs
过载恢复时间 VS = 5V，VIN × 增益 > VS，TA = 25°C 8 μs
THD+N 总谐波失真 + 噪声(4) VS = 5V，VO = 1VRMS，G = 1，f = 1kHz，
RL = 10kΩ，TA = 25°C		 0.005%
输出
VO 自电源轨的电压输出摆幅 VS = 1.8V 至 5.5V，RL = 10kΩ，TA = 25°C 5 25 mV
VS = 1.8V 至 5.5V，RL = 2kΩ，TA = 25°C 22 45
ISC 短路电流 VS = 5V，TA = 25°C ±20 mA
RO 开环输出阻抗 VS=5.5V，f=100Hz，TA = 25°C 570 Ω
电源
VS 额定电压范围 1.8 5.5 V
IQ 每个放大器的静态电流，过热 VS = 5V，IO = 0mA，TA = –40°C 至 +125°C 150 250 µA
温度
额定温度范围 -40 125 °C
Tstg 储存温度 -65 150 °C
(1) 除非另外注明，否则具有最大或最小规格限值的参数均在 25ºC 下经过 100% 生产检测。过热限值基于特性和统计分析。
(2) 由设计和特性指定；未经生产测试。
(3) 表示正或负转换率的较低值。
(4) 三阶滤波器；-3dB 时的带宽 = 80kHz。

7.8 典型特性

Table 1. 图形列表

标题 图表
开环增益和相位与频率间的关系 Figure 1
静态电流与电源电压间的关系 Figure 2
偏移电压产品分布 Figure 3
偏移电压与共模电压间的关系（最大电源） Figure 4
输入电压噪声频谱密度与频率间的关系 (1.8V，5.5V) Figure 5
输入偏置和偏移电流与温度间的关系 Figure 6
输出电压摆幅与输出电流间的关系（过热） Figure 7
小信号过冲与负载电容间的关系 Figure 8
小信号阶跃响应，同相 (1.8V) Figure 9
大信号阶跃响应，同相 (1.8V) Figure 10
无相位反转 Figure 11
通道分离与频率间的关系（双路） Figure 12
电磁干扰抑制比 (EMIRR) Figure 13

7.9 典型特性

TA = 25°C 时，RL = 10kΩ 连接至 VS/2，VCM = VS/2，且 VOUT = VS/2（除非另外注明）
TLV314 TLV2314 TLV4314 tc_open_loop_gain_phase_fqcy_sbos754.gif
RL = 10kΩ 和 10pF，VS = ±2.5V
Figure 1. 开环增益和相位与频率间的关系
TLV314 TLV2314 TLV4314 tc_histo_voffset_sbos754.gif
Figure 3. 偏移电压产品分布
TLV314 TLV2314 TLV4314 tc_vin_spec_density_fqcy_bos563.gif
Figure 5. 输入电压噪声频谱密度与
频率间的关系
TLV314 TLV2314 TLV4314 tc_vout_swing_iout_sbos754.gif
VS = ±2.75V
Figure 7. 输出电压摆幅与输出电流间的关系
（过热）
TLV314 TLV2314 TLV4314 tc_sm_sig_step_09V_sbos754.gif
VS = ±0.9V，增益 = 1V/V，RF = 10kΩ
Figure 9. 小信号脉冲响应（同相）
TLV314 TLV2314 TLV4314 tc_anti_phase_reversal_bos563.gif
Figure 11. 无相位反转
TLV314 TLV2314 TLV4314 tc_emirr_2314_sbos754.gif
PRF = –10dBm，VS = ±2.5V，VCM = 0V
Figure 13. 以同相输入为参考的
电磁干扰抑制比 (EMIRR IN+) 与频率间的关系
TLV314 TLV2314 TLV4314 tc_iq_vsupply_sbos754.gif
Figure 2. 静态电流与电源间的关系
TLV314 TLV2314 TLV4314 tc_vos_vcm_sbos754.gif
典型单位，VS = ±2.75V
Figure 4. 偏移电压与共模电压间的关系
TLV314 TLV2314 TLV4314 tc_input_bias_temp_sbos754.gif
Figure 6. 输入偏置和偏移电流与温度间的关系
TLV314 TLV2314 TLV4314 tc_sm_sig_ovrsht_cap_load_sbos754.gif
VS = ±2.75V，增益 = 1V/V，RL = 10kΩ
Figure 8. 小信号过冲与负载电容间的关系
TLV314 TLV2314 TLV4314 tc_lg_sig_step_09V_sbos754.gif
VS = ±0.9V，增益 = 1V/V，RL = 10kΩ
Figure 10. 大信号脉冲响应（同相）
TLV314 TLV2314 TLV4314 tc_chan_separat_fqcy_sbos754.gif
VS = ±2.75V
Figure 12. 通道分离与频率间的关系 (TLV2314)