ZHCSR46D October   2022  – January 2024 MSPM0L1303 , MSPM0L1304 , MSPM0L1305 , MSPM0L1306 , MSPM0L1343 , MSPM0L1344 , MSPM0L1345 , MSPM0L1346

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 功能方框图
  6. 5 器件比较
  7. 6 引脚配置和功能
    1. 6.1 引脚图
    2. 6.2 引脚属性
    3. 6.3 信号说明
    4. 6.4 未使用引脚的连接
  8. 7 规格
    1. 7.1  绝对最大额定值
    2. 7.2  ESD 等级
    3. 7.3  建议运行条件
    4. 7.4  热性能信息
    5. 7.5  电源电流特性
      1. 7.5.1 运行/睡眠模式
      2. 7.5.2 停止/待机模式
      3. 7.5.3 关断模式
    6. 7.6  电源时序
      1. 7.6.1 POR 和 BOR
      2. 7.6.2 电源斜坡
    7. 7.7  闪存特性
    8. 7.8  时序特性
    9. 7.9  时钟规范
      1. 7.9.1 系统振荡器 (SYSOSC)
      2. 7.9.2 低频振荡器 (LFOSC)
    10. 7.10 数字 IO
      1. 7.10.1 电气特性
      2. 7.10.2 开关特性
    11. 7.11 模拟多路复用器 VBOOST
    12. 7.12 ADC
      1. 7.12.1 电气特性
      2. 7.12.2 开关特性
      3. 7.12.3 线性参数
      4. 7.12.4 典型连接图
    13. 7.13 温度传感器
    14. 7.14 VREF
      1. 7.14.1 电压特性
      2. 7.14.2 电气特性
    15. 7.15 COMP
      1. 7.15.1 比较器电气特性
    16. 7.16 GPAMP
      1. 7.16.1 电气特性
      2. 7.16.2 开关特性
    17. 7.17 OPA
      1. 7.17.1 电气特性
      2. 7.17.2 开关特性
      3. 7.17.3 PGA 模式
    18. 7.18 I2C
      1. 7.18.1 I2C 特性
      2. 7.18.2 I2C 滤波器
      3. 7.18.3 I2C 时序图
    19. 7.19 SPI
      1. 7.19.1 SPI
      2. 7.19.2 SPI 时序图
    20. 7.20 UART
    21. 7.21 TIMx
    22. 7.22 仿真和调试
      1. 7.22.1 SWD 时序
  9. 8 详细说明
    1. 8.1  CPU
    2. 8.2  操作模式
      1. 8.2.1 不同工作模式下的功能
    3. 8.3  电源管理单元 (PMU)
    4. 8.4  时钟模块 (CKM)
    5. 8.5  DMA
    6. 8.6  事件
    7. 8.7  存储器
      1. 8.7.1 内存组织
      2. 8.7.2 外设文件映射
      3. 8.7.3 外设中断向量
    8. 8.8  闪存存储器
    9. 8.9  SRAM
    10. 8.10 GPIO
    11. 8.11 IOMUX
    12. 8.12 ADC
    13. 8.13 温度传感器
    14. 8.14 VREF
    15. 8.15 COMP
    16. 8.16 CRC
    17. 8.17 GPAMP
    18. 8.18 OPA
    19. 8.19 I2C
    20. 8.20 SPI
    21. 8.21 UART
    22. 8.22 WWDT
    23. 8.23 计时器 (TIMx)
    24. 8.24 器件模拟连接
    25. 8.25 输入/输出图
    26. 8.26 串行线调试接口
    27. 8.27 引导加载程序 (BSL)
    28. 8.28 器件出厂常量
    29. 8.29 识别
  10. 9 应用、实现和布局
    1. 9.1 典型应用
      1. 9.1.1 原理图
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 器件命名规则
    2. 10.2 工具与软件
    3. 10.3 文档支持
    4. 10.4 支持资源
    5. 10.5 商标
    6. 10.6 静电放电警告
    7. 10.7 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • RGE|24
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

8.7.1 内存组织

下表总结了器件的存储器映射。有关存储器区域详情的更多信息，请参阅 MSPM0 L 系列 32MHz 微控制器技术参考手册 中的平台存储器映射 一章。

表 8-4 内存组织
存储器区域 子区域 MSPM0L1304、MSPM0L1344 MSPM0L1305、MSPM0L1345 MSPM0L1306、MSPM0L1346
代码（闪存） MAIN (3)

16KB - 8B

0x0000.0000 至 0x0000.3FF8

32KB - 8B(2)

0x0000.0000 至 0x0000.7FF8

64KB - 8B(2)

0x0000.0000 至 0x0000.FFF8
混叠 MAIN (2)(3) 0x0040.0000 至 0x0040.3FF8 0x0040.0000 至 0x0040.7FF8 0x0040.0000 至 0x0040.FFF8
SRAM (SRAM) SRAM

2KB

0x2000.0000 至 0x2000.0800

4KB

0x2000.0000 至 0x2000.1000

4KB

0x2000.0000 至 0x2000.1000
混叠 SRAM(2) 0x2000.0000 至 0x2000.0800 0x2000.0000 至 0x2000.1000 0x2000.0000 至 0x2000.1000
外设 外设 0x4000.0000 至 0x40FF.FFFF 0x4000.0000 至 0x40FF.FFFF 0x4000.0000 至 0x40FF.FFFF
MAIN (3) 0x0000.0000 至 0x0000.3FF8 0x0000.0000 至 0x0000.7FF8 0x0000.0000 至 0x0000.FFF8
混叠 MAIN(2)(3) 0x0040.0000 至 0x0040.3FF8 0x0040.0000 至 0x0040.7FF8 0x0040.0000 至 0x0040.FFF8
NONMAIN

512 字节

0x41C0.0000 至 0x41C0.0200

512 字节

0x41C0.0000 至 0x41C0.0200

512 字节

0x41C0.0000 至 0x41C0.0200
混叠 NONMAIN (2) 0x41C1.0000 至 0x41C1.0200 0x41C1.0000 至 0x41C1.0200 0x41C1.0000 至 0x41C1.0200
FACTORY 0x41C4.0000 至 0x41C4.0080 0x41C4.0000 至 0x41C4.0080 0x41C4.0000 至 0x41C4.0080
混叠 FACTORY (2) 0x41C5.0000 至 0x41C5.0080 0x41C5.0000 至 0x41C5.0080 0x41C5.0000 至 0x41C5.0080
子系统 0x6000.0000 至 0x7FFF.FFFF 0x6000.0000 至 0x7FFF.FFFF 0x6000.0000 至 0x7FFF.FFFF
系统 PPB 0xE000.0000 至 0xE00F.FFFF 0xE000.0000 至 0xE00F.FFFF 0xE000.0000 至 0xE00F.FFFF
(2) 第一个 32KB 闪存（地址 0x0000.0000 至 0x0000.8000）具有高达 100000 个编程和擦除周期。
(2) 别名存储器读取与相应存储器区域相同的区域。之所以包含别名存储器是为了保持兼容具有 ECC 的器件。
(3) CPU 访问闪存区域最后 8 个字节之一将导致硬故障。这是因为预取逻辑会尝试提前读取一个闪存字（64 位），导致对无效存储器位置的读取尝试。