ZHCSRS3E February   2023  – October 2025 MSPM0G1505 , MSPM0G1506 , MSPM0G1507

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 功能方框图
  6. 5 器件比较
  7. 6 引脚配置和功能
    1. 6.1 引脚图
    2. 6.2 引脚属性
    3. 6.3 信号说明
    4. 6.4 未使用引脚的连接
  8. 7 规格
    1. 7.1  绝对最大额定值
    2. 7.2  ESD 等级
    3. 7.3  建议运行条件
    4. 7.4  热性能信息
    5. 7.5  电源电流特性
      1. 7.5.1 运行/睡眠模式
      2. 7.5.2 停止/待机模式
      3. 7.5.3 关断模式
    6. 7.6  电源时序
      1. 7.6.1 电源斜坡
        1. 7.6.1.1 POR 和 BOR
    7. 7.7  闪存特性
    8. 7.8  时序特性
    9. 7.9  时钟规格
      1. 7.9.1 系统振荡器 (SYSOSC)
      2. 7.9.2 SYSOSC 典型频率精度
        1. 7.9.2.1 低频振荡器 (LFOSC)
      3. 7.9.3 系统锁相环 (SYSPLL)
      4. 7.9.4 低频晶体/时钟
      5. 7.9.5 高频晶体/时钟
    10. 7.10 数字 IO
      1. 7.10.1 电气特性
      2. 7.10.2 开关特性
    11. 7.11 模拟多路复用器 VBOOST
    12. 7.12 ADC
      1. 7.12.1 电气特性
      2. 7.12.2 开关特性
      3. 7.12.3 线性参数
    13. 7.13 典型连接图
    14. 7.14 温度传感器
    15. 7.15 VREF
      1. 7.15.1 电压特性
      2. 7.15.2 电气特性
    16. 7.16 比较器 (COMP)
      1. 7.16.1 比较器电气特性
    17. 7.17 DAC
      1. 7.17.1 DAC_电源规格
      2. 7.17.2 DAC 输出规格
      3. 7.17.3 DAC 动态规格
      4. 7.17.4 DAC 线性度规格
      5. 7.17.5 DAC 时序规格
    18. 7.18 GPAMP
      1. 7.18.1 电气特性
      2. 7.18.2 开关特性
    19. 7.19 OPA
      1. 7.19.1 电气特性
      2. 7.19.2 开关特性
      3. 7.19.3 PGA 模式
    20. 7.20 I2C
      1. 7.20.1 I2C 特性
      2. 7.20.2 I2C 滤波器
        1. 7.20.2.1 I2C 时序图
    21. 7.21 SPI
      1. 7.21.1 SPI
      2. 7.21.2 SPI 时序图
    22. 7.22 UART
    23. 7.23 TIMx
    24. 7.24 TRNG
      1. 7.24.1 TRNG 电气特性
      2. 7.24.2 TRNG 开关特性
    25. 7.25 仿真和调试
      1. 7.25.1 SWD 时序
  9. 8 详细说明
    1. 8.1  CPU
    2. 8.2  操作模式
      1. 8.2.1 不同工作模式下的功能 (MSPM0G150x)
    3. 8.3  电源管理单元 (PMU)
    4. 8.4  时钟模块 (CKM)
    5. 8.5  DMA
    6. 8.6  事件
    7. 8.7  存储器
      1. 8.7.1 内存组织
      2. 8.7.2 外设文件映射
      3. 8.7.3 外设中断向量
    8. 8.8  闪存存储器
    9. 8.9  SRAM
    10. 8.10 GPIO
    11. 8.11 IOMUX
    12. 8.12 ADC
    13. 8.13 温度传感器
    14. 8.14 VREF
    15. 8.15 COMP
    16. 8.16 DAC
    17. 8.17 OPA
    18. 8.18 GPAMP
    19. 8.19 TRNG
    20. 8.20 AES
    21. 8.21 CRC
    22. 8.22 UART
    23. 8.23 I2C
    24. 8.24 SPI
    25. 8.25 WWDT
    26. 8.26 RTC
    27. 8.27 计时器 (TIMx)
    28. 8.28 器件模拟连接
    29. 8.29 输入/输出图
    30. 8.30 串行线调试接口
    31. 8.31 引导加载程序 (BSL)
    32. 8.32 器件出厂常量
    33. 8.33 标识
  10. 9 应用、实施和布局
    1. 9.1 典型应用
      1. 9.1.1 原理图
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 入门和后续步骤
    2. 10.2 器件命名规则
    3. 10.3 工具与软件
    4. 10.4 文档支持
    5. 10.5 支持资源
    6. 10.6 商标
    7. 10.7 静电放电警告
    8. 10.8 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

11 修订历史记录

All Revision History Changes Intro HTMLMarch 1, 2025 to October 3, 2025 (from RevisionD (March 2025)to RevisionE (October 2025))

  • 在高级计时器特性说明中添加了基本输出Go
  • 在窗口化看门狗计时器特性说明中添加了 WWDT 首字母缩略词Go
  • 在封装选项列表中添加了间距和封装标识符详细信息Go
  • 更改了通信功能部分的格式，使之更加清晰Go
  • 在 5V IO 说明中添加了“开漏”Go
  • 向具有内部连接的模拟外设列表中添加了“GPAMP”Go
  • 在灵活的 I/O 特性部分中添加了高速 IO 数量部分Go
  • 更新了优化低功耗模式部分Go
  • 删除了工业型号数据表中的功能安全品牌化Go
  • 更新了 YCJ 封装的器件比较信息Go
  • 将 VSSOP 宽度从 3mm 更改为 4.9mm 以对引线进行解释说明Go
  • 添加了封装帧宽信息Go
  • 从器件编号中删除了通配符Go
  • 更新了比较表值Go
  • 向 OPN 添加了“R” 以给分发格式命名Go
  • 添加了 DSBGA 封装引脚属性Go
  • 将“按 IO 类型划分的数字特性”移至“引脚属性”部分的开头Go
  • 添加了 WCSP 封装信号说明Go
  • 在信号说明部分的开头添加了引脚类型信息Go
  • 在绝对最大额定值部分中添加了针对 PA21 GPIO 引脚上的二极管电流注入限制的脚注Go
  • 向“VDD = 1.62V 时较低电流的绝对最大额定值”中添加了缺失的 I_VDD/I_VSS 脚注Go
  • 将 LFOSC 启动时间规格从 1.7ms 更新为 1msGo
  • 更新了 HSIO 的数字 IO VOL 规格以正确地参考温度条件，并与此规格的其他 IO 类型匹配Go
  • 更新了数字 IO 电气规格和开关规格部分，并“在 DRV=1 驱动强度设置中使用 HDIO 时的串联限流电阻器”添加了脚注Go
  • 添加了“DRV = 1 驱动强度设置时 HDIO 运行模式的端口输出频率”的数字 IO 开关规格行项目Go
  • 添加了“有关 I_comp 规范 HCYCLE 寄存器设置的比较器电气规格部分”的条件Go
  • 更新了上电复位电压电平规格Go
  • 更新了“BOR COLD 规格”部分Go
  • 将 VBOR0- 下降从 1.56 更改为 1.55Go
  • 添加了 SLEEP0 唤醒时间Go
  • 将“tsettle 期间 fSYSOSC 额外下冲精度”的最小值从 -11 更改为 -16Go
  • 将 SYSPLLCLK0/1 从 1MHz 更改为 2.5MHzGo
  • 将 SYSPLLCLK0/1 从 1MHz 更改为 2.5MHzGo
  • 将 SYSPLL RMS 周期间抖动从 24ps 更改为 60psGo
  • 将周期抖动从 15.5ps 更改为 45psGo
  • 将 SYSPLL 典型启动时间从 14us 更改为 7us，最长启动时间从 24us 更改为 18usGo
  • 将 VDD ≥ 2.7V、DRV = 1、CL = 20pF 规格从 40MHz 更改为 32MHzGo
  • 32 将 VDD ≥ 2.7V、DRV = 1、CL = 20pF 规格从 40MHz 更改为 32MHzGo
  • 将 I_VBST 从 0.7uA 更改为 0.8uAGo
  • 将 ADC 工作电流从 1.5mA 更改为 1.75mAGo
  • 添加了“f_in = 10KHz”测试条件Go
  • 将 V_SupplyMon 最大值从 1% 更改为 1.5%Go
  • 将偏移误差从 +/-2mV 更改为 +/-3.5mVGo
  • 将增益误差从 +/-3LSB 更改为 +/-4LSBGo
  • 将温度传感器稳定时间从 10us 更改为 12.5usGo
  • 添加低功耗模式下的 COMP +VREF 电流消耗Go
  • 将 COMP 低功耗模式电流消耗从 0.84uA 更改为 0.85uAGo
  • 将 COMP IDD 从 102uA 更改为 120uAGo
  • 拆分了比较器电流消耗部分的参数部分Go
  • 将 COMP+VREF 低功耗模式 IDD 规格从 2.5uA 更改为 3.5uAGo
  • 添加了 DAC 代码测试条件Go
  • 将 DAC IDD 从 300uA 更改为 400uAGo
  • 向 VDD-0.3V 测试条件添加了 V_o = 0.3VGo
  • 从输出负载电流中删除了 +/-，仅将其设置为 +4mA。Go
  • 将同相增益误差（增益 = 32）从（–2.6% 至 +2.6%）更改为（–3.2% 至 +2%）Go
  • 将反相增益误差（增益 = -31）从（–2.7% 至 +2.7%）更改为（–3.3% 至 +2.1%）Go
  • 使用正确的寄存器配置设置，将温度传感器校准条件从 1.4V 更改为 3.3VGo
  • 添加了 VREF 模块的方框图Go