ZHCSLK1C February   2022  – December 2023 LMQ66410-Q1 , LMQ66420-Q1 , LMQ66430-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 系统特性
    7. 6.7 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  启用、启动和关断
      2. 7.3.2  外部 CLK SYNC（通过 MODE/SYNC）
        1. 7.3.2.1 脉冲相关 MODE/SYNC 引脚控制
      3. 7.3.3  电源正常输出运行
      4. 7.3.4  内部 LDO、VCC 和 VOUT/FB 输入
      5. 7.3.5  自举电压和 VBOOT-UVLO（BOOT 端子）
      6. 7.3.6  输出电压选择
      7. 7.3.7  展频
      8. 7.3.8  软启动和从压降中恢复
        1. 7.3.8.1 从压降中恢复
      9. 7.3.9  电流限制和短路
      10. 7.3.10 热关断
      11. 7.3.11 输入电源电流
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 关断模式
      2. 7.4.2 待机模式
      3. 7.4.3 工作模式
        1. 7.4.3.1 CCM 模式
        2. 7.4.3.2 自动模式 – 轻负载运行
          1. 7.4.3.2.1 二极管仿真
          2. 7.4.3.2.2 降频
        3. 7.4.3.3 FPWM 模式 – 轻负载运行
        4. 7.4.3.4 最短导通时间（高输入电压）运行
        5. 7.4.3.5 压降
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计 1 - 2.2MHz 下的汽车同步降压稳压器
        1. 8.2.1.1 设计要求
        2. 8.2.1.2 详细设计过程
          1. 8.2.1.2.1  选择开关频率
          2. 8.2.1.2.2  设置输出电压
            1. 8.2.1.2.2.1 用于实现可调节输出的 VOUT/FB
          3. 8.2.1.2.3  电感器选型
          4. 8.2.1.2.4  输出电容器选型
          5. 8.2.1.2.5  输入电容器选型
          6. 8.2.1.2.6  CBOOT
          7. 8.2.1.2.7  VCC
          8. 8.2.1.2.8  CFF 选型
          9. 8.2.1.2.9  外部 UVLO
          10. 8.2.1.2.10 最高环境温度
        3. 8.2.1.3 应用曲线
      2. 8.2.2 设计 2 - 400kHz 时的汽车同步降压稳压器
        1. 8.2.2.1 设计要求
        2. 8.2.2.2 详细设计过程
        3. 8.2.2.3 应用曲线
    3. 8.3 优秀设计实践
    4. 8.4 电源建议
    5. 8.5 布局
      1. 8.5.1 布局指南
        1. 8.5.1.1 接地及散热注意事项
      2. 8.5.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 器件支持
      1. 9.1.1 第三方产品免责声明
      2. 9.1.2 器件命名规则
    2. 9.2 文档支持
      1. 9.2.1 相关文档
    3. 9.3 接收文档更新通知
    4. 9.4 支持资源
    5. 9.5 商标
    6. 9.6 静电放电警告
    7. 9.7 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.3.9 电流限制和短路

该器件通过针对高侧和低侧 MOSFET 的逐周期电流限制在过流情况下得到保护。高侧 (HS) MOSFET 过流保护是通过典型峰值电流模式控制方案来实现的。当高侧开关在较短的消隐时间后导通时，将检测到高侧开关电流。在每个开关周期，将高侧开关电流与固定电流设定点的最小值，或与内部误差放大器环路的输出减去斜率补偿之后的值进行比较。当 HS 开关电流达到限流阈值时，HS 开关关闭。由于内部误差放大器环路的输出具有最大值，并且斜率补偿随着占空比的增大而增加，因此如果占空比通常高于 35%，高侧电流限值会随着占空比的增加而降低。

当低侧 (LS) 开关接通时，也会检测和监控流经该开关的电流。与高侧器件一样，低侧器件具有由内部误差放大器环路命令的关断功能。对于低侧器件，即使振荡器正常启动一个新的开关周期，也会在电流超过此值时阻止关断。与高侧器件一样，关断电流的高低也受到限制。该限值在图 7-12 中称为低侧电流限值 IVALMAX。如果超出低侧电流限值，低侧 MOSFET 将保持导通状态，高侧开关不会导通。一旦低侧电流降至此限值以下，低侧开关就会关断，并且只要自高侧器件上次导通后至少经过一个时钟周期，高侧开关就会再次导通。

GUID-20220126-SS0I-WDVR-NLMD-2NLL9BBXZNLZ-low.svg图 7-12 电流限值波形

由于电流波形假定值介于 IPEAKMAX 和 IVALMAX 之间，因此最大输出电流非常接近这两个值的平均值，除非占空比非常高。在电流限制下运行之后将使用迟滞控制，并且电流不会随着输出电压接近零而增加。

如果发生极端过载并满足以下条件，LMQ664x0-Q1 会采用断续过流保护：

  • 输出电压低于输出电压设定点的约 0.4 倍。
  • 自软启动开始以来，经过了大于 tSS 的时间。
  • 该器件不处于压降运行状态，表明具有最短关断时间受控占空比。

在断续模式下，器件会自行关断，并在 tHICCUP 后尝试软启动。断续模式有助于在严重过流和短路情况下降低器件功耗。请参阅图 7-13。

一旦消除过载，器件就会像在软启动中一样恢复；请参阅图 7-14。

GUID-20221104-SS0I-SJ6J-VG6S-Z0BG4ND3T4WZ-low.svg图 7-13 进入断续
GUID-20221104-SS0I-FDNW-JZCV-NCB8WVTSQSDB-low.svg图 7-14 退出断续