ZHCSXD4 November   2024 ESD701-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级 - AEC 规格
    3. 5.3 ESD 等级 - IEC 规格
    4. 5.4 ESD 等级 - ISO 规格
    5. 5.5 建议运行条件
    6. 5.6 热性能信息
    7. 5.7 电气特性
    8. 5.8 典型特性
  7. 6 器件和文档支持
    1. 6.1 文档支持
      1. 6.1.1 相关文档
    2. 6.2 接收文档更新通知
    3. 6.3 支持资源
    4. 6.4 商标
    5. 6.5 静电放电警告
    6. 6.6 术语表
  8. 7 接收文档更新通知
  9. 8 支持资源
  10. 9 商标
  11. 10静电放电警告
  12. 11术语表
  13. 12修订历史记录
  14. 13机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

5.7 电气特性

在 TA = 25°C 条件下（除非另有说明）
参数测试条件最小值典型值最大值单位
VRWM反向关断电压IIO < 10nA-2424V
ILEAKVRWM 下的漏电流VIO = ±24V，I/O 至 GND210nA
VBR击穿电压，I/O 至 GND (1)IIO = ±10mA25.535.5V
VHOLD保持电压 (2)TLP，IO 至 GND 或 GND 至 IO31
VCLAMP浪涌钳位电压，tp = 8/20µs (3)IPP = 3A，I/O 至 GND37V
VCLAMP浪涌钳位电压，tp = 8/20µs (3)IPP = 3A，GND 至 I/O37V
VCLAMPTLP 钳位电压，tp = 100ns(4)IPP = 16A (100ns TLP)，I/O 至 GND41V
VCLAMPTLP 钳位电压，tp = 100ns(4)IPP = 16A (100ns TLP)，GND 至 I/O41V
RDYN动态电阻 (5)I/O 至 GND0.84Ω
GND 至 I/O0.84
CLINE输入电容，IO 至 GNDVIO = 0V，f = 1MHz0.30.5pF
(1) VBR 是指在器件锁存到快速复位状态之前，在逐步升高电压期间，在 1mA 时获得的电压
(2) VHOLD 定义为器件成功锁存到快速复位状态后，施加 1mA 时的电压。
(3) 根据 IEC 61000-4-5 器件承受 8/20μs 指数衰减波形的应力
(4) 非重复方波电流脉冲、传输线路脉冲 (TLP)；ANSI/ESD STM5.5.1-2008
(5) 在 I = 10A 和 I = 20A 之间使用 TLP 特性的最小二乘拟合来提取 RDYN