ZHCSR11D September   2022  – October 2025 ESD1LIN24-Q1 , ESD751-Q1 , ESD761-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1  绝对最大额定值
    2. 5.2  ESD 等级 - AEC 规格
    3. 5.3  ESD 等级 - IEC 规格
    4. 5.4  ESD 等级 - ISO 规格
    5. 5.5  建议运行条件
    6. 5.6  热性能信息
    7. 5.7  电气特性
    8. 5.8  典型特性 - ESD751
    9. 5.9  典型特性 - ESD1LIN24
    10. 5.10 典型特性 - ESD761
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 IEC 61000-4-5 浪涌保护
      2. 6.3.2 IO 电容
      3. 6.3.3 动态电阻
      4. 6.3.4 直流击穿电压
      5. 6.3.5 超低漏电流
      6. 6.3.6 钳位电压
      7. 6.3.7 业界通用封装
    4. 6.4 器件功能模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
      3. 7.2.3 应用曲线
  9. 8 电源相关建议
  10. 9 布局
    1. 9.1 布局指南
    2. 9.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 文档支持
      1. 10.1.1 相关文档
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息
  14.   封装选项附录

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

5.7 电气特性

在 TA = 25°C 条件下（除非另有说明）
参数 测试条件 器件 最小值 典型值 最大值 单位
VRWM 反向关断电压 -24 24 V
VBRF 击穿电压(1) IIO = 10mA、IO 至 GND 25.5 35.5 V
VBRR 击穿电压(1) IIO = -10mA、IO 至 GND -35.5 -25.5 V
VCLAMP 钳位电压(2) IPP = 4.3A，tp = 8/20µs，IO 至 GND 及 GND 至 IO ESD1LIN24-Q1 37 V
IPP = 2.8A，tp = 8/20µs，IO 至 GND 及 GND 至 IO ESD751-Q1 36.5
IPP = 1.8A、tp = 8/20µs、IO 至 GND 及 GND 至 IO ESD761-Q1 36.3
VCLAMP 钳位电压(3) IPP = 16A、TLP、IO 至 GND 及 GND 至 IO ESD1LIN24-Q1 40 V
ESD751-Q1 41.5
ESD761-Q1 42.5 V
ILEAK 漏电流 VIO = ±24V、IO 至 GND -50 1 50 nA
RDYN 动态电阻(3) ESD1LIN24-Q1 0.5 Ω
ESD751-Q1 0.6
ESD761-Q1 0.53
CL 线路电容 VIO = 0V、f = 1MHz、Vpp = 30mV、IO 至 GND ESD1LIN24-Q1 2.3 3.8 pF
ESD751-Q1 1.6 2.7
ESD761-Q1 1.1 1.8
(1) VBRF 和 VBRR 定义为在器件锁存到快速复位状态之前，在正向方向上施加 ±10mA 的电压。
(2) 根据 IEC 61000-4-5 器件承受 8/20μs 指数衰减波形的应力。
(3) 非重复电流脉冲、传输线路脉冲 (TLP)；方波脉冲；ANSI / ESD STM5.5.1-2008