ZHCSJN2B May   2019  – January 2021 DS90UH941AS-Q1

PRODUCTION DATA  

  1. 特性
  2. 应用
  3. 说明
  4. 修订历史记录
  5. 说明(续)
  6. 引脚配置和功能
    1.     引脚功能
  7. 规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD 等级
    3. 7.3 建议工作条件
    4. 7.4 热性能信息
    5. 7.5 直流电气特征
    6. 7.6 交流电气特征
    7. 7.7 推荐外部时钟参考时序
    8. 7.8 推荐的串行控制总线时序
    9. 7.9 时序图
  8. 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1  DSI 接收器
        1. 8.3.1.1 DSI 工作模式
          1. 8.3.1.1.1 高速模式
          2. 8.3.1.1.2 25
          3. 8.3.1.1.3 全局操作时序参数
        2. 8.3.1.2 THS-SKIP 编程
        3. 8.3.1.3 DSI 错误和状态
          1. 8.3.1.3.1 DSI / DPHY 误差检测和报告
          2. 8.3.1.3.2 DSI 协议错误检测
          3. 8.3.1.3.3 DSI 错误报告
          4. 8.3.1.3.4 DSI 错误计数器
          5. 8.3.1.3.5 DSI 转 FPD-Link III 缓冲区错误
        4. 8.3.1.4 支持的 DSI 视频格式
      2. 8.3.2  高速正向通道数据传输
      3. 8.3.3  反向通道数据传输
      4. 8.3.4  FPD-Link III 端口寄存器访问
      5. 8.3.5  视频控制信号
      6. 8.3.6  关断引脚 (PDB)
      7. 8.3.7  串行链路故障检测
      8. 8.3.8  中断支持
        1. 8.3.8.1 中断引脚 (INTB)
        2. 8.3.8.2 远程中断引脚 (REM_INTB)
      9. 8.3.9  GPIO 支持
        1. 8.3.9.1 GPIO[3:0] 配置
        2. 8.3.9.2 反向通道配置
        3. 8.3.9.3 GPIO_REG[8:5] 配置
      10. 8.3.10 SPI 通信
        1. 8.3.10.1 SPI 模式配置
        2. 8.3.10.2 正向通道 SPI 操作
        3. 8.3.10.3 反向通道 SPI 操作
      11. 8.3.11 音频模式
        1. 8.3.11.1 I2S 音频接口
          1. 8.3.11.1.1 I2S 传输模式
          2. 8.3.11.1.2 I2S 中继器
          3. 8.3.11.1.3 分离器和复制模式期间的音频
        2. 8.3.11.2 TDM 音频接口
      12. 8.3.12 (带 HDCP)
        1. 8.3.12.1 HDCP I2S 音频加密
      13. 8.3.13 内置自检测试 (BIST)
        1. 8.3.13.1 BIST 配置和状态
        2. 8.3.13.2 正向通道和反向通道错误检查
      14. 8.3.14 内部模式生成
        1. 8.3.14.1 图形选项
        2. 8.3.14.2 颜色模式
        3. 8.3.14.3 视频时序模式
        4. 8.3.14.4 外部时序
        5. 8.3.14.5 图形反转
        6. 8.3.14.6 自动滚动
        7. 8.3.14.7 附加特性
      15. 8.3.15 EMI 降低特性
        1. 8.3.15.1 输入 SSC 容差
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 模式选择配置设置 (MODE_SEL[1:0])
      2. 8.4.2 时钟模式
        1. 8.4.2.1 DSI 时钟模式
        2. 8.4.2.2 像素时钟模式
          1. 8.4.2.2.1 DSI 参考时钟模式
          2. 8.4.2.2.2 外部参考时钟模式
          3. 8.4.2.2.3 内部参考时钟
          4. 8.4.2.2.4 独立 2:2 模式的外部参考时钟
      3. 8.4.3 双 DSI 输入模式
        1. 8.4.3.1 DSI 双路运行要求
        2. 8.4.3.2 启用双 DSI 运行
        3. 8.4.3.3 双 DSI 控制和状态
      4. 8.4.4 3D 格式支持(单 DSI 输入)
        1. 8.4.4.1 左/右 3D 格式支持
        2. 8.4.4.2 交替线路 3D 格式支持
        3. 8.4.4.3 交替像素 3D 格式支持
      5. 8.4.5 独立 2:2 模式
        1. 8.4.5.1 独立 2:2 模式的配置
        2. 8.4.5.2 配置独立 2:2 模式的代码示例
        3. 8.4.5.3 93
      6. 8.4.6 FPD-Link III 运行模式
        1. 8.4.6.1 单链路模式
        2. 8.4.6.2 双链路模式
        3. 8.4.6.3 复制模式
        4. 8.4.6.4 分离器模式
          1. 8.4.6.4.1 DSI 对称分离
            1. 8.4.6.4.1.1 对称分离 - 左/右
            2. 8.4.6.4.1.2 对称分离 - 交替像素分离
            3. 8.4.6.4.1.3 对称分离 - 交替线路分离
            4. 8.4.6.4.1.4 103
          2. 8.4.6.4.2 DSI 非对称分离
            1. 8.4.6.4.2.1 非对称分离与裁剪
            2. 8.4.6.4.2.2 非对称分离与 DSI VC-ID
          3. 8.4.6.4.3 分离器运行的配置
    5. 8.5 编程
      1. 8.5.1 串行控制总线
      2. 8.5.2 多主仲裁支持
      3. 8.5.3 有关多主运行的 I2C 限制
      4. 8.5.4 对较新 FPD-Link III 器件的器件寄存器进行多主访问
      5. 8.5.5 对较旧 FPD-Link III 器件的器件寄存器进行多主访问
      6. 8.5.6 有关多主运行的控制通道方向的限制
    6. 8.6 寄存器映射
      1. 8.6.1 主寄存器
      2. 8.6.2 DSI 端口 0 和端口 1 间接寄存器
      3. 8.6.3 模拟间接寄存器
      4. 8.6.4 端口 0 和端口 1 图形发生器间接寄存器
  9. 应用和实现
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
        1. 9.2.2.1 高速互连指南
      3. 9.2.3 应用曲线
  10. 10电源相关建议
    1. 10.1 VDD 电源
    2. 10.2 上电和初始化
  11. 11布局
    1. 11.1 布局指南
      1. 11.1.1 接地
      2. 11.1.2 路由 FPD-Link III 信号布线
      3. 11.1.3 路由 DSI 信号布线
    2. 11.2 布局示例
  12. 12器件和文档支持
    1. 12.1 文档支持
      1. 12.1.1 相关文档
    2. 12.2 支持资源
    3. 12.3 商标
    4. 12.4 静电放电警告
    5. 12.5 术语表
  13. 13机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

布局指南

FPD-Link III 串行器和解串器器件的电路板布局布线和叠层设计应向器件提供低噪声电源。良好的布局实践也会分离高频或高电平输入和输出,以最大程度地减少不需要的杂散噪声、反馈和干扰。使用薄电介质(2 到 4mil)作为电源/接地夹层可以大大提高电源系统性能。这种布置在 PCB 电源系统中使用平面电容,并且具有低电感,经证明在高频下尤其有效,并对外部旁路电容器的容值和放置要求不那么高。外部旁路电容器应包括射频陶瓷和钽电解电容器两种类型。射频电容器可以使用 0.01μF 至 0.1μF 范围的容值。钽电容器容值范围为 2.2μF 至 10μF。钽电容的额定电压至少应为所用电源电压的 5 倍。

TI 推荐使用表面贴装电容器,因为其寄生特性较小。当每个电源引脚使用多个电容器时,将容值较小的电容器靠近引脚放置。建议在电源输入点使用大容量电容器。这通常在 50μF 至 100μF 范围内,可缓和低频开关噪声。TI 建议用户将电源和接地引脚直接连接到电源和接地层,并在连接到该层的旁路电容器的两端放置一个过孔。将电源或接地引脚连接到外部旁路电容器会增加路径的电感。

外部旁路建议使用小尺寸 X7R 贴片电容,如 0603 或 0402。其封装尺寸小,减小了电容器的寄生电感。用户必须注意这些外部旁路电容器的共振频率,通常在 20MHz 至 30MHz 的范围内。为了提供有效的旁路,通常使用多个电容器以便在检测频率下使电源轨之间具有低阻抗。在高频下,从电源引脚和接地引脚到平面之间使用两个过孔也是常见做法,以降低高频下的阻抗。

一些器件为电路的不同部分提供单独的电源和接地引脚。这样做是为了隔离电路不同部分之间的开关噪声效应。通常不需要在 PCB 上有单独的平面。有关哪些电路块连接到哪些电源引脚对的指南,请参阅Topic Link Label6 部分的“引脚功能”表。在某些情况下,可以使用外部滤波器为 PLL 等敏感电路提供清洁电源。

将 DSI 信号远离 FPD-Link III 线路布置,以防止 DSI 线路与 FPD-Link III 线路耦合。50Ω 的单端阻抗用于同轴互连,100Ω 的差分阻抗通常推荐用于 STP 互连。紧密耦合的线路有助于确保耦合噪声以共模形式出现,从而被接收器拒绝。紧密耦合的线路辐射也较少。