ZHCSOJ8B november   2022  – july 2023 DRV8410

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 修订历史记录
  6. 器件比较
  7. 引脚配置和功能
  8. 规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD 等级
    3. 7.3 建议运行条件
    4. 7.4 热性能信息
    5. 7.5 电气特性
    6. 7.6 时序图
  9. 典型特性
  10. 详细说明
    1. 9.1 概述
    2. 9.2 功能方框图
    3. 9.3 外部元件
    4. 9.4 特性说明
      1. 9.4.1 电桥控制
        1. 9.4.1.1 并联桥接式接口
      2. 9.4.2 电流调节
      3. 9.4.3 保护电路
        1. 9.4.3.1 过流保护 (OCP)
        2. 9.4.3.2 热关断 (TSD)
        3. 9.4.3.3 欠压锁定 (UVLO)
    5. 9.5 器件功能模式
      1. 9.5.1 工作模式
      2. 9.5.2 低功耗睡眠模式
      3. 9.5.3 故障模式
    6. 9.6 引脚图
      1. 9.6.1 逻辑电平输入
  11. 10应用和实现
    1. 10.1 应用信息
      1. 10.1.1 典型应用
        1. 10.1.1.1 步进电机应用
          1. 10.1.1.1.1 设计要求
          2. 10.1.1.1.2 详细设计过程
            1. 10.1.1.1.2.1 步进电机转速
            2. 10.1.1.1.2.2 电流调节
            3. 10.1.1.1.2.3 步进模式
              1. 10.1.1.1.2.3.1 全步进运行
              2. 10.1.1.1.2.3.2 快速衰减下的半步进运行
              3. 10.1.1.1.2.3.3 慢速衰减下的半步进运行
          3. 10.1.1.1.3 应用曲线
        2. 10.1.1.2 双 BDC 电机应用
          1. 10.1.1.2.1 设计要求
          2. 10.1.1.2.2 详细设计过程
            1. 10.1.1.2.2.1 电机电压
            2. 10.1.1.2.2.2 电流调节
            3. 10.1.1.2.2.3 感测电阻
          3. 10.1.1.2.3 应用曲线
        3. 10.1.1.3 散热注意事项
          1. 10.1.1.3.1 最大输出电流
          2. 10.1.1.3.2 功率耗散
          3. 10.1.1.3.3 热性能
            1. 10.1.1.3.3.1 稳态热性能
            2. 10.1.1.3.3.2 瞬态热性能
        4. 10.1.1.4 具有标准电机驱动器引脚排列的多源供应
  12. 11电源相关建议
    1. 11.1 大容量电容
    2. 11.2 电源和逻辑时序
  13. 12布局
    1. 12.1 布局指南
    2. 12.2 布局示例
  14. 13器件和文档支持
    1. 13.1 文档支持
      1. 13.1.1 相关文档
    2. 13.2 接收文档更新通知
    3. 13.3 社区资源
    4. 13.4 商标
  15. 14机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • PWP|16
  • RTE|16
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

电桥控制

DRV8410 具有两个完全相同的 H 桥电机驱动器。输入引脚 AINx 和 BINx 分别控制相应的输出 AOUTx 和 BOUTx。表 9-4 显示了输入如何控制 H 桥输出。

表 9-2 H 桥控制
nSLEEPxIN1xIN2xOUT1xOUT2说明
0XX高阻高阻低功耗睡眠模式
100高阻高阻滑行/快速衰减;H 桥禁用至高阻
101LH反向(电流 OUT2 → OUT1)
110HL正向(电流 OUT1 → OUT2)
111LL制动;低侧慢速衰减

可以将输入设置为恒定电压以实现 100% 占空比驱动器,也可以将输入设置为脉宽调制 (PWM) 以实现可变电机速度。使用 PWM 时,在驱动(正向或反向)和慢速衰减状态之间切换通常效果更佳。例如,要以最大 RPM 的 50% 正向驱动电机,在驱动周期或 PWM“开启”时间内,IN1 = 1 且 IN2 = 0;而在 PWM“关闭”时间内,IN1 = 1 且 IN2 = 1。

此外,还提供用于快速电流衰减的滑行模式(IN1 = 0,IN2 = 0)。对于使用快速衰减的 PWM,PWM 信号施加到一个 xIN 引脚,而另一个 xIN 引脚保持低电平,如下所示。

表 9-3 电机转速的 PWM 控制
xIN1xIN2说明

PWM

0

正向 PWM,快速衰减
1

PWM

正向 PWM,慢速衰减

0

PWM

反向 PWM,快速衰减

PWM

1反向 PWM,慢速衰减

图 9-1 显示了电机电流如何流过 H 桥。可以在应用 VM 之前为输入引脚供电。

GUID-20210827-SS0I-DBZ9-GVTK-V67VQLPGSGML-low.svg图 9-1 H 桥电流路径

当输出从驱动高电平变为驱动低电平,或从驱动低电平变为驱动高电平时,会自动插入死区时间以防止击穿。tDEAD 时间是输出为高阻时的中间时间。如果在 tDEAD 期间测量输出引脚,则电压取决于电流方向。如果电流离开管脚,则电压为低于地电平的二极管压降。如果电流进入引脚,则电压为高于 VM 的二极管压降。该二极管是高侧或低侧 FET 的体二极管。

传播延迟时间 (tPD) 是输入边沿与输出变化之间的时间。该时间考虑了输入抗尖峰脉冲时间和其他内部逻辑传播延迟。输入抗尖峰脉冲时间可防止输入引脚上的噪声影响输出状态。附加的输出压摆延迟时序考虑了 FET 导通或关断时间(tRISE 和 tFALL)。

下面的图 9-2 显示了电机驱动器输入和输出的时序。

GUID-20210827-SS0I-686N-F2GF-50WWJMB6K97F-low.svg图 9-2 H 桥时序图