ZHCSPR1C November 2021 – November 2022 DRV8244-Q1
PRODMIX
在 VVM = 13.5V 时测得
| 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| RHS_ON | 高侧 FET 导通电阻,HVSSOP 封装 | IOUT = 4A,TJ = 25°C | 28.5 | mΩ | ||
| IOUT = 4A,TJ = 150°C | 57 | mΩ | ||||
| 高侧 FET 导通电阻,VQFN-HR 封装 | IOUT = 4A,TJ = 25°C | 23.1 | mΩ | |||
| IOUT = 4A,TJ = 150°C | 44.7 | mΩ | ||||
| RLS_ON | 低侧 FET 导通电阻,HVSSOP 封装 | IOUT = 4A,TJ = 25°C | 31 | mΩ | ||
| IOUT = 4A,TJ = 150°C | 57 | mΩ | ||||
| 低侧 FET 导通电阻,VQFN-HR 封装 | IOUT = 4A,TJ = 25°C | 23.1 | mΩ | |||
| IOUT = 4A,TJ = 150°C | 44.7 | mΩ | ||||
| VSD | 当体二极管被正向偏置时的低侧和高侧 FET 源漏电压 | IOUT = +/- 4A(两个方向) | 0.4 | 0.9 | 1.5 | V |
| RHi-Z | 处于休眠或待机状态时的 OUT 接地电阻 | VOUTx = VVM = 13.5V | 1.5 | 9.5 | kΩ | |