ZHCSXG9A September   2024  – March 2025 DRV81620-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 器件比较
  6. 引脚配置和功能
  7. 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 SPI 时序要求
    7. 6.7 典型特性
  8. 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 控制引脚
        1. 7.3.1.1 输入引脚
        2. 7.3.1.2 nSLEEP 引脚
      2. 7.3.2 电源
        1. 7.3.2.1 运行模式
          1. 7.3.2.1.1 上电
          2. 7.3.2.1.2 睡眠模式
          3. 7.3.2.1.3 空闲模式
          4. 7.3.2.1.4 工作模式
          5. 7.3.2.1.5 跛行回家模式
        2. 7.3.2.2 复位条件
      3. 7.3.3 功率级
        1. 7.3.3.1 开关电阻性负载
        2. 7.3.3.2 电感式输出钳位
        3. 7.3.3.3 最大负载电感
        4. 7.3.3.4 反向电流行为
        5. 7.3.3.5 并联开关通道
        6. 7.3.3.6 灯泡浪涌模式 (BIM)
        7. 7.3.3.7 集成 PWM 发生器
      4. 7.3.4 保护和诊断
        1. 7.3.4.1 VM 欠压
        2. 7.3.4.2 过流保护
        3. 7.3.4.3 过热保护
        4. 7.3.4.4 过热警告
        5. 7.3.4.5 跛行回家模式下的过热和过流保护
        6. 7.3.4.6 反极性保护
        7. 7.3.4.7 过压保护
        8. 7.3.4.8 输出状态监控
        9. 7.3.4.9 开启状态下提供开路负载检测
          1. 7.3.4.9.1 开启时的开路负载 - 直接通道诊断
          2. 7.3.4.9.2 开启时的开路负载 - 诊断回路
          3. 7.3.4.9.3 OLON 位
      5. 7.3.5 SPI 通信
        1. 7.3.5.1 SPI 信号说明
          1. 7.3.5.1.1 片选 (nSCS)
            1. 7.3.5.1.1.1 逻辑高电平到逻辑低电平转换
            2. 7.3.5.1.1.2 逻辑低电平到逻辑高电平转换
          2. 7.3.5.1.2 串行时钟 (SCLK)
          3. 7.3.5.1.3 串行数据输入 (SDI)
          4. 7.3.5.1.4 串行数据输出 (SDO)
        2. 7.3.5.2 菊花链功能
        3. 7.3.5.3 SPI 协议
        4. 7.3.5.4 SPI 寄存器
          1. 7.3.5.4.1  标准诊断寄存器
          2. 7.3.5.4.2  输出控制寄存器
          3. 7.3.5.4.3  灯泡浪涌模式寄存器
          4. 7.3.5.4.4  输入 0 映射寄存器
          5. 7.3.5.4.5  输入 1 映射寄存器
          6. 7.3.5.4.6  输入状态监控寄存器
          7. 7.3.5.4.7  开路负载电流控制寄存器
          8. 7.3.5.4.8  输出状态监控寄存器
          9. 7.3.5.4.9  开启时开路负载寄存器
          10. 7.3.5.4.10 EN_OLON 寄存器
          11. 7.3.5.4.11 配置寄存器
          12. 7.3.5.4.12 输出清除锁存寄存器
          13. 7.3.5.4.13 FPWM 寄存器
          14. 7.3.5.4.14 PWM0 配置寄存器
          15. 7.3.5.4.15 PWM1 配置寄存器
          16. 7.3.5.4.16 PWM_OUT 寄存器
          17. 7.3.5.4.17 MAP_PWM 寄存器
          18. 7.3.5.4.18 配置 2 寄存器
  9. 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
      1. 8.1.1 建议的外部元件
      2. 8.1.2 应用曲线图
    2. 8.2 典型应用
    3. 8.3 布局
      1. 8.3.1 布局指南
      2. 8.3.2 封装尺寸兼容性
  10. 器件和文档支持
    1. 9.1 接收文档更新通知
    2. 9.2 支持资源
    3. 9.3 商标
    4. 9.4 静电放电警告
    5. 9.5 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

布局指南

  • VM 引脚应通过低 ESR 陶瓷旁路电容器旁路至 GND,该电容器的建议电容值为 68nF 且额定电压为 VM。此类电容器应尽可能靠近 VM 引脚放置,并通过较宽的布线或接地平面与器件 GND 引脚连接。
  • 使用低 ESR 陶瓷电容器将 VDD 引脚旁路至接地。建议使用一个电容值为 100nF、额定电压为 6.3V 的电容器。将此旁路电容器尽可能靠近引脚放置。
  • 通常,必须避免电源引脚和去耦电容器之间的电感。
  • 在器件的 IN0、IN1、nSLEEP、nSCS、SCLK、SDI、SDO 和 VDD 引脚与微控制器的相应引脚之间连接串联电阻器。节 7.3 显示了电阻器建议值。
  • 封装的散热焊盘必须连接至系统接地端。
    • TI 建议整个系统/电路板使用一个大的不间断单一接地平面。接地平面可在 PCB 底层制成。
    • 为了尽可能减小阻抗和电感,在通过通孔连接至底层接地平面之前,接地引脚的布线尽可能短且宽。
    • 建议使用多个通孔来降低阻抗。
    • 尽量清理器件周围的空间(尤其是在 PCB 底层),从而改善散热。
    • 连接至散热焊盘的单个或多个内部接地平面也有助于散热并降低热阻。