ZHCSMI0E September   2020  – November 2022 DP83TG720S-Q1

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 引脚配置和功能
    1.     引脚功能
    2. 5.1 引脚状态
    3. 5.2 引脚电源域
  6. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 时序要求
    7. 6.7 时序图
    8. 6.8 LED 驱动特性
  7. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 诊断工具套件
        1. 7.3.1.1 信号质量指示器
        2. 7.3.1.2 时域反射计
        3. 7.3.1.3 数据路径内置自检
          1. 7.3.1.3.1 环回模式
          2. 7.3.1.3.2 数据生成器
          3. 7.3.1.3.3 编程数据路径 BIST
        4. 7.3.1.4 温度和电压检测
        5. 7.3.1.5 静电放电检测
      2. 7.3.2 合规性测试模式
        1. 7.3.2.1 测试模式 1
        2. 7.3.2.2 测试模式 2
        3. 7.3.2.3 测试模式 4
        4. 7.3.2.4 测试模式 5
        5. 7.3.2.5 测试模式 6
        6. 7.3.2.6 测试模式 7
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1  断电
      2. 7.4.2  复位
      3. 7.4.3  待机
      4. 7.4.4  正常
      5. 7.4.5  睡眠
      6. 7.4.6  状态转换
        1. 7.4.6.1 状态转换 #1 - 待机到正常
        2. 7.4.6.2 状态转换 #2 - 正常到待机
        3. 7.4.6.3 状态转换 #3 - 正常到睡眠
        4. 7.4.6.4 状态转换 #4 - 睡眠到正常
      7. 7.4.7  媒体相关接口
        1. 7.4.7.1 MDI 主模式和 MDI 从模式配置
        2. 7.4.7.2 自动极性检测和校正
      8. 7.4.8  MAC 接口
        1. 7.4.8.1 简化千兆位媒体独立接口
        2. 7.4.8.2 串行千兆位媒体独立接口
      9. 7.4.9  串行管理接口
      10. 7.4.10 直接寄存器访问
      11. 7.4.11 扩展寄存器空间访问
      12. 7.4.12 写入地址操作
        1. 7.4.12.1 示例 - 写入地址操作
      13. 7.4.13 读取地址操作
        1. 7.4.13.1 示例 - 读取地址操作
      14. 7.4.14 写入操作（无后增量）
        1. 7.4.14.1 示例 - 写入操作（无后增量）
      15. 7.4.15 读取操作（无后增量）
        1. 7.4.15.1 示例 - 读取操作（无后增量）
      16. 7.4.16 写入操作（有后增量）
        1. 7.4.16.1 示例 - 写入操作（有后增量）
      17. 7.4.17 读取操作（有后增量）
        1. 7.4.17.1 示例 - 读取操作（有后增量）
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 搭接配置
      2. 7.5.2 LED 配置
      3. 7.5.3 PHY 地址配置
    6. 7.6 寄存器映射
      1. 7.6.1 寄存器访问汇总
      2. 7.6.2 DP83TG720 Registers
        1. 7.6.2.1 基址寄存器
  8. 8 应用和实现
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
  9. 9 电源相关建议
  10. 10与 TI 的 100BT1 PHY 兼容
  11. 11布局
    1. 11.1 布局指南
      1. 11.1.1 信号布线
      2. 11.1.2 返回路径
      3. 11.1.3 物理媒体连接
      4. 11.1.4 金属浇注
      5. 11.1.5 PCB 层堆叠
  12. 12器件和文档支持
    1. 12.1 接收文档更新通知
    2. 12.2 支持资源
    3. 12.3 商标
    4. 12.4 Electrostatic Discharge Caution
    5. 12.5 术语表
  13. 13机械、封装和可订购信息
    1. 13.1 封装选项附录
      1. 13.1.1 封装信息
      2. 13.1.2 卷带封装信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

4 修订历史记录

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLD (March 2021)to RevisionE (February 2022)

  • 更新了文档标题Go
  • 将引脚功能表中的 Strap_1 引脚状态更新为仅输入。分离了引脚状态表和引脚电源域表Go
  • 在引脚状态表中将上电/复位中的 INH 引脚更新为 PMOS、OD、O。更新了缩写Go
  • 添加了引脚电源域表Go
  • 更新了 SQI 部分，可使用更新计算方法来指示改进的 SQI 级数。Go
  • 更新了 TDR 应用手册的链接Go
  • 将 0x0016 寄存器值更改为 0x0108、0x0104、0x0101，用于模拟环回、数字环回和 PCS 环回。Go
  • 更新了本地和远程睡眠进入的步骤Go
  • 更新了位说明格式，以更加清晰，删除了保留的寄存器并根据某些客户应用要求添加了其他寄存器Go
  • 更新了 CM 电阻器封装建议 0805Go

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLC (February 2021)to RevisionD (March 2021)

  • 更新了 IOZ、2 级自举模式 2 阈值和 Rpull-down 最小/最大数据表限值，可为客户应用提供更多裕度。Go
  • 添加了 rgmii DLL_TX_DELAY、睡眠模式时序参数、延迟参数、复位模式功率、待机模式功率和睡眠模式功率的最小值/最大值。Go
  • 将集成下拉电阻从 4.5kΩ 更改为 4.725kΩ。Go
  • 向远程睡眠退出程序中添加了更多详细信息。Go
  • 添加了注释，以便增加 1.8V 两级搭接的裕度。Go

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLB (February 2021)to RevisionC (February 2021)

  • 更新了引脚状态表中 rx_cntrl 和 strp_1 引脚的下拉电阻值。从 6K 更改为 6.3K，以便精确匹配规格部分中的值。Go
  • 更新了 SQI 部分，可满足 OA 要求。Go
  • 更新了自举电路图，以便删除外部下拉电阻。Go

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLA (December 2020)to RevisionB (December 2020)

  • 更新了电源建议注释Go

Date Letter Revision History Changes Intro HTML* (September 2020)to RevisionA (December 2020)

  • 将销售状态从“预告信息”更改为“初始发行版”。Go