ZHCSWA3B May 2024 – July 2025 DLP472NE
PRODUCTION DATA
| 参数(1)(2) | 测试条件(1) | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 电流 - 典型值 | ||||||
| IDD | 电源电流 VDD(3) | 800 | 1200 | mA | ||
| IDDA | 电源电流 VDDA(3) | 1000 | 1200 | mA | ||
| IDDA | 电源电流 VDDA(3) | 单宏模式 | 500 | 600 | mA | |
| IOFFSET | 电源电流 VOFFSET(4)(5) | 20 | 25 | mA | ||
| IBIAS | 电源电流 VBIAS(4)(5) | 2.5 | 4.0 | mA | ||
| IRESET | 电源电流 VRESET(5) | -9.3 | -6.9 | mA | ||
| 功率 - 典型值 | ||||||
| PDD | 电源功率耗散 VDD(3) | 1440 | 2437.5 | mW | ||
| PDDA | 电源功率耗散 VDDA(3) | 1620 | 2340 | mW | ||
| PDDA | 电源功率耗散 VDDA(3) | 单宏模式 | 900 | 1170 | mW | |
| POFFSET | 电源功率耗散 VOFFSET(4)(5) | 230 | 367.5 | mW | ||
| PBIAS | 电源功率耗散 VBIAS(4)(5) | 43.2 | 70.3 | mW | ||
| PRESET | 电源功率耗散 VRESET(5) | 107.8 | 152.25 | mW | ||
| PTOTAL | 电源功率耗散总计 | 3441 | 5367.55 | mW | ||
| LVCMOS 输入 | ||||||
| IIL | 低电平输入电流(6) | VDD = 1.95V,VI = 0V | -100 | nA | ||
| IIH | 高电平输入电流(6) | VDD = 1.95V,VI = 1.95V | 135 | µA | ||
| LVCMOS 输出 | ||||||
| VOH | 直流输出高电压(7) | IOH = -2mA | 0.8 × VDD | V | ||
| VOL | 直流输出低电压(7) | IOL = 2mA | 0.2 × VDD | V | ||
| 接收器眼图特性 | ||||||
| A1 | 最小数据眼图张开度(8)(9) | 100 | 600 | mV | ||
| 最小时钟眼图张开度(8)(9) | 295 | 600 | mV | |||
| A2 | 最大数据信号摆幅(8)(9) | 600 | mV | |||
| X1 | 最大数据眼图闭合度(8) | 0.275 | UI | |||
| X2 | 最大数据眼图闭合度(8) | 0.4 | UI | |||
| | tDRIFT | | 在训练模式之间时钟和数据之间的漂移 | 20 | ps | |||
| 电容 | ||||||
| CIN | 输入电容 LVCMOS | f = 1MHz | 10 | pF | ||
| CIN | 输入电容 LSIF(低速接口) | f = 1MHz | 20 | pF | ||
| CIN | 输入电容 HSSI(高速串行接口) | f = 1MHz | 20 | pF | ||
| COUT | 输出电容 | f = 1MHz | 10 | pF | ||