ZHCSD72C November 2014 – November 2023 CSD83325L
PRODUCTION DATA
3 说明
这款 12V、9.9mΩ、2.2mm x 1.15mm LGA 双路 NexFET™ 功率 MOSFET 旨在以小巧封装更大程度地降低电阻和栅极电荷。该器件尺寸小巧并采用共漏极配置，非常适合小型手持设备的电池包应用。
顶视图
配置产品概要
| TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VS1S2 | 源源电压 | 12 | V | |
| Qg | 栅极电荷总量 (4.5V) | 8.4 | nC | |
| Qgd | 栅极电荷（栅极到漏极） | 1.9 | nC | |
| RS1S2(on) | 源极至源极导通电阻 | VGS = 2.5V | 17.5 | mΩ |
| VGS = 3.8V | 10.9 | mΩ | ||
| VGS = 4.5V | 9.9 | mΩ | ||
| VGS(th) | 阈值电压 | 1.0 | V | |
器件信息(1)
| 器件 | 数量 | 介质 | 封装 | 出货 |
|---|---|---|---|---|
| CSD83325L | 3000 | 7 英寸卷带 | 2.20mm x 1.15mm Land Grid Array (LGA) 封装 |
卷带包装 |
| CSD83325LT | 250 |
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附录。
绝对最大额定值
| TA = 25°C | 值 | 单位 | |
|---|---|---|---|
| VS1S2 | 源源电压 | 12 | V |
| VGS | 栅源电压 | ±10 | V |
| IS | 持续源极电流(1) | 8 | A |
| ISM | 脉冲源极电流(2) | 52 | A |
| PD | 功率耗散 | 2.3 | W |
| V(ESD) | 人体放电模型 (HBM) | 2000 | V |
| TJ、 Tstg |
工作结温， 贮存温度 |
-55 至 150 | °C |
(1) 器件在 105ºC 温度下运行.
(2) RθJA = 150°C/W（覆铜面积最小时的典型值），脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%。
 RDS(on) 与 VGS 之间的关系 |
 栅极电荷 |