ZHCSBW8C December   2013  – May 2024 CSD19533KCS

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1特性
  3. 2应用
  4. 3说明
  5. 4Specifications
    1. 4.1 Electrical Characteristics
    2. 4.2 Thermal Information
    3. 4.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 5Device and Documentation Support
    1. 5.1 第三方产品免责声明
    2. 5.2 Documentation Support
      1. 5.2.1 Related Documentation
    3. 5.3 接收文档更新通知
    4. 5.4 支持资源
    5. 5.5 Trademarks
    6. 5.6 静电放电警告
    7. 5.7 术语表
  7. 6Revision History
  8. 7Mechanical, Packaging, and Orderable Information

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • KCS|3
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

3 说明

这款 100V、8.7mΩ、TO-220 NexFET™ 功率 MOSFET 旨在用于更大限度地降低功率转换应用中的损耗。

CSD19533KCS CSD19533KCS
产品概要
TA = 25°C 典型值 单位
VDS 漏源电压 100 V
Qg 栅极电荷总量 (10V) 27 nC
Qgd 栅极电荷（栅极到漏极） 5.4 nC
RDS(on) 漏源导通电阻 VGS = 6V 9.7 mΩ
VGS = 10V 8.7 mΩ
VGS(th) 阈值电压 2.8 V
订购信息(1)
器件 封装 介质 数量 运输
CSD19533KCS TO-220 塑料封装 管装 50 管装
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附录。
绝对最大额定值
TA = 25°C 值 单位
VDS 漏源电压 100 V
VGS 栅源电压 ±20 V
ID 持续漏极电流（受封装限制） 100 A
持续漏极电流（受器件限制），TC = 25°C 时测得 86
持续漏极电流（受器件限制），TC = 100°C 时测得 61
IDM 脉冲漏极电流(1) 207 A
PD 功率耗散 188 W
TJ，
Tstg		 工作结温和
贮存温度范围		 -55 至 175 °C
EAS 雪崩能量，单脉冲
ID = 46A，L = 0.1mH，RG = 25Ω		 106 mJ
(1) 最大 RθJC = 0.8°C/W，脉冲持续时间 ≤100μs，占空比 ≤1%
CSD19533KCS RDS(on) 与 VGS 之间的关系RDS(on) 与 VGS 之间的关系
CSD19533KCS 栅极电荷栅极电荷