能源管理

MOSFET 电源块

TI 的 NexFET™ 同步降压 MOSFET

德州仪器 (TI) 提供广泛的电源块产品系列。这些电源块具有优化的控制和同步 FET,同时利用 PowerStack™ 技术消除寄生效应并实现高效率和开关频率。

电源块在要求高性能和更高的功率密度的同步降压和升压应用中与 TI 控制器配合使用。

电源块 MOSFET

特色产品

器件
订购选择
信道 (Channel)
VDS (V)
VGS (V)
功率损耗 (W)
P损耗 电流 (A) 
最大电流 (A)

SON 3x3 电源块

CSD86330Q3D
yes
N 30 10 1.5 15 20
CSD87335Q3D
yes
N 30 10 1.5 15 25
CSD87333Q3D
yes
N 30 10 1.5 8 15
CSD87334Q3D
yes
N 30 10 1.6 12 20

SON 5x6 电源块

CSD86350Q5D
yes
N 25 10 2.8 25 40
CSD87355Q5D
yes
N 30 10 2.8 25 45
CSD87351Q5D
yes
N 30 10 2.5 20 32

热性能比较

德州仪器 (TI) 提供广泛的电源块产品系列。这些电源块具有优化的控制和同步 FET,同时利用 PowerStack™ 技术消除寄生效应并实现高效率和开关频率。电源块在要求高性能和更高的功率密度的同步降压和升压应用中与 TI 控制器配合使用。

MOSFET
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