采用低电压 N 沟道 MOSFET 和精选 ≤30V 器件进行设计。
采用中电压 N 沟道 MOSFET 和精选 40V 至 100V 器件进行设计。
使用 FemtoFET™ N 沟道 MOSFET 进行设计非常适合手机、平板电脑和任何其他需要节省布板空间和延长电池寿命的应用。
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