电源管理

N 沟道 MOSFET 晶体管

一流的电阻和栅极电荷,可实现高频操作和更高的功率密度


≤30V

采用低电压 N 沟道 MOSFET 进行设计。在 ≤30V 的器件中进行选择。


40-100V

采用中电压 N 沟道 MOSFET 进行设计。在 40-100V 的器件中进行选择。


FemtoFET™

非常适合手机、平板电脑以及任何需要节省板面空间和延长电池寿命的其他应用。

特色 N 沟道 MOSFET

CSD18536KCS

60V 1.3mΩ TO-220 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD19537Q3

100V 12.1mΩ SON 3.3 x 3.3mm NexFET™ 功率 MOSFET