电源管理

DDR 存储器电源解决方案

密度高、高效、具有成本效益

TI 拥有广泛多样的 DDR 终端器产品系列,可满足您的系统需求,同时还提供基于线性稳压器和开关稳压器的解决方案供您选择。DDR VDDQ 和 VTT 稳压器器件具有较低内部电压基准,能够调节低 DDR 内核和终端输出电压。

与标准线性和开关稳压器相比,DDR 终端 LDO 和稳压器具备灌/拉终端电流能力和外部基准输入,可跟踪 VDDQ/2 输入并生成 Vtt 终端电压轨。

<Section CTA Link - not authored>
<Horizontal Rule - not authored>
DDR 系列 VDDQ VTT
DDR 2.5V 1.25V
DDR2 1.8V .9V
DDR3 1.5V .75V
DDR4 1.2V .6V
LPDDR2 1.2V 0.6V
LPDDR3 1.2V 0.6V
DDR3L 1.35V 0.675V
LPDDR4 1.1V 0.55V
DDR3 RAM

TI 的 DDR VTT LDO 利用专有超高宽带跟踪放大器来响应 DDR 读/写负载瞬态,并最大程度地降低输出电容。由于 DDR 终端器件具有多个系列,挑选 DDR 电源解决方案器件时需要注意的主要规格包括 DDR VDDQ 和 VTT 输出电压。

对于 DDR4 和较新的 DDR 系列,还需要调节一个具有 2.5V 标称值电压的额外 VPP 电压轨。TI 的 DDR 电源解决方案专为符合 JEDEC 规范而设计。

LPDDR3 RAM