Gate Driver Reference Design for Parallel IGBTs With Short-Circuit Protection and Current Buffer

(正在供货) TIDA-00917

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对于具有较高输出额定功率的电源转换设备而言,并联 IGBT 变得很有必要,因为在这类应用中,单个 IGBT 无法提供所需的负载电流。此 TI 设计采用一个增强型隔离式 IGBT 栅极控制模块来驱动半桥配置中的并联 IGBT。并联 IGBT 在栅极驱动器级(驱动强度不足)以及系统级均会带来挑战:难以在两个 IGBT 中保持相等电流分布的同时确保更快的导通和关断。此参考设计使用增强型隔离式 IGBT 栅极驱动器,这种器件具有多种集成特性,如去饱和检测和软关断(以便在故障情况下保护 IGBT)。外部 BJT 电流增压级可提高栅极驱动电流 (15A),而不必牺牲软关断特性。此外,该设计展示了在 IGBT 并联运行时避免栅极电流回路的机制。

特性
  • 设计用于驱动额定电压为 1200V 的并联 IGBT 模块(总栅极电荷高达 10μC)
  • 采用外部 BJT 缓冲级,拉/灌电流额定值高达 15 Apk
  • 使用内置 DESAT 和可调软关断时间实现 IGBT 短路保护
  • 内置共模扼流圈和发射极电阻,用于限制发射极环路电流
  • 8000Vpk VIOTM 和 2121Vpk VIORM 增强型隔离
  • 极高的 CMTI:100KV/us

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ISO5852S  ISO5852S 高 CMTI 2.5A/5A 隔离式 IGBT、MOSFET 栅极驱动器,具有分离输出  隔离  样片或购买 查看设计套件与评估模块

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用户指南 (1)
标题 摘要 类型 大小 (KB) 日期 查看次数 TI 推荐 下载最新英文版本
PDF 1952 2017年 1月 19日 1,724
设计文件 (6)
标题 摘要 类型 大小 (KB) 日期 查看次数 下载最新英文版本
ZIP 186 2017年 1月 10日 23
ZIP 1077 2017年 1月 10日 72
PDF 1776 2017年 1月 10日 54
PDF 354 2017年 1月 10日 35
PDF 52 2017年 1月 10日 76
PDF 637 2017年 1月 10日 328

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