PMP5835

用于笔记本电脑的同步降压 (1.15V@14A)

PMP5835

设计文件

概述

适用于工业 PC 的 12VIN Intel Atom E6xx (Tunnel Creek) CPU 内核电源设计;该设计可提供较小的 CPU 内核稳压器电源区域和出众的热性能,这正是工业自动化和过程控制中使用 COM Express 模块和单板计算机的关键设计要求之一。

特性
  • 通过差动式电压和电流感应实现严密的电压和电流感应精度,且无论采用何种 PCB 布局均可实现精密调节     
  • 分立式高侧和低侧 CSD14xxx NexFET 使输出电流可扩展性达到 14A TDC         
  • 提供多种设置来评估所有 Intel IMVP6+ CPU 内核电压稳压器功能    
  • 通过板载的负载瞬变发生器进行轻松评估    
  • 仅需 2x330uF 大容量电容器和 10x10uF MLCC 输出电容器               
  • 最高管壳温度为 75°C(10A 负载)
输出电压选项 PMP5835.1
Vin (Min) (V) 10.8
Vin (Max) (V) 13.2
Vout (Nom) (V) 1.15
Iout (Max) (A) 14
Output Power (W) 16.1
Isolated/Non-Isolated Non-Isolated
Input Type DC
Topology Buck- Synchronous
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我们开发的全面组装电路板仅用于测试和性能验证,不可用于销售。

设计文件和产品

设计文件

下载现成的系统文件,加快您的设计过程。

TIDU058.PDF (292 K)

参考设计的测试结果,包括效率图表,测试前提条件等

TIDR027.PDF (183 K)

设计布局和元件的详细原理图

TIDR028.PDF (25 K)

设计元件、引用标识符和制造商/器件型号的完整列表

TIDC048.ZIP (392 K)

包含设计 PCB 物理板层信息的设计文件

TIDU061.PDF (491 K)

用于生成 PCB 设计布局的 PCB 层图文件

产品

在设计中包括 TI 产品和可能的替代产品。

AC/DC & DC/DC controllers (external FET)

TPS51610用于 IMVP6+ CPU/GPU Vcore 的单相 D-CAP+™ 模式降压控制器

数据表: PDF
MOSFET

CSD16406Q3采用 3mm x 3mm SON 封装的单通道、7.4mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据表: PDF | HTML

技术文档

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测试报告 PMP5835 Test Results 2013年 8月 21日

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