PMP4496

具有快速充电器输入的 USB-C DRP 移动电源参考设计

设计文件

PMP4496

设计文件

概述

PMP4496 是具有单个 USB Type C 双角色端口 (DRP) 的移动电源参考设计。它能以灌电流或拉电流形式工作。根据附加的外部器件，自动确定角色。还支持快速充电输入，以节省更多充电时间。

特性

真正的 DRP Type C 端口
支持快速充电输入
自动角色检测
高放电电流
高集成度且 BOM 数目少
小尺寸：47.8mmx18.2mm

个人电子产品

??image.gallery.download_zh_CN?? 观看带字幕的视频视频

我们开发的全面组装电路板仅用于测试和性能验证，不可用于销售。

设计文件和产品

设计文件

下载现成的系统文件，加快您的设计过程。

download

Test report — PMP4496

TIDUBD0.PDF (1527 K)

参考设计的测试结果，包括效率图表，测试前提条件等

download

Schematic — PMP4496

TIDRK16.PDF (233 K)

设计布局和元件的详细原理图

download

Bill of materials (BOM) — PMP4496

TIDRK17.PDF (81 K)

设计元件、引用标识符和制造商/器件型号的完整列表

download

PCB layout — PMP4496

TIDRK18.ZIP (505 K)

用于生成 PCB 设计布局的 PCB 层图文件

产品

在设计中包括 TI 产品和可能的替代产品。

电池充电器 IC

BQ25895 — 支持高输入电压和 3.1A 升压、支持 HVDCP 功能的 I2C 单节 5A 降压电池充电器

数据表: PDF | HTML

MSP430 微控制器

MSP430G2332 — 具有 4KB 闪存、256B SRAM、10 位 ADC、SPI/I2C、计时器的 16MHz MCU

数据表: PDF

N 沟道 MOSFET

CSD17483F4 — 采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单通道、260mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据表: PDF | HTML

N 沟道 MOSFET

CSD83325L — 采用 LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的双路、5.9mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据表: PDF | HTML

P 沟道 MOSFET

CSD25310Q2 — 采用 2mm x 2mm SON 封装的单通道、23.9mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据表: PDF | HTML

USB 电源开关和充电端口控制器

TPS2514A — USB 专用充电端口控制器 - 第 2 代

数据表: PDF | HTML

USB 转接驱动器和多路复用器

TS3USB221 — 具有单使能端的高速 USB 2.0 (480Mbps) 1:2 多路复用器/多路解复用器开关

数据表: PDF | HTML

USB 集线器和控制器

TUSB320LI — USB Type-C 配置通道逻辑和端口控制

数据表: PDF | HTML

升压转换器（集成开关）

TPS61235P — 8A 谷值电流、5.1V 固定输出电压同步升压转换器

数据表: PDF | HTML

并联电压基准

TL431 — 可调精密并联稳压器

数据表: PDF | HTML

电池保护器

BQ2970 — 锂离子/锂聚合物高级单节电池保护器 IC 系列

数据表: PDF

线性和低压降 (LDO) 稳压器

TLV704 — 150mA、24V、超低 IQ、低压降 (LDO) 稳压器

数据表: PDF | HTML

技术文档

star

= TI 精选文档

未找到结果。请清除搜索，并重试。

查看所有 1

	类型	标题		下载最新的英文版本		日期
*	测试报告	PMP4496 Test Results				2015年 12月 21日

支持与培训

可获得 TI E2E™ 论坛的工程师技术支持

查看所有论坛主题

查看英文版所有论坛主题

所有内容均由 TI 和社区网友按“原样”提供，并不构成 TI 规范。参阅使用条款。

如果您对质量、包装或订购 TI 产品有疑问，请参阅 TI 支持。

PMP4496

具有快速充电器输入的 USB-C DRP 移动电源参考设计

PMP4496

概述

特性

个人电子产品

设计文件和产品

设计文件

产品

BQ25895 — 支持高输入电压和 3.1A 升压、支持 HVDCP 功能的 I2C 单节 5A 降压电池充电器

MSP430G2332 — 具有 4KB 闪存、256B SRAM、10 位 ADC、SPI/I2C、计时器的 16MHz MCU

CSD17483F4 — 采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单通道、260mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD83325L — 采用 LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的双路、5.9mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD25310Q2 — 采用 2mm x 2mm SON 封装的单通道、23.9mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

TPS2514A — USB 专用充电端口控制器 - 第 2 代

TS3USB221 — 具有单使能端的高速 USB 2.0 (480Mbps) 1:2 多路复用器/多路解复用器开关

TUSB320LI — USB Type-C 配置通道逻辑和端口控制

TPS61235P — 8A 谷值电流、5.1V 固定输出电压同步升压转换器

TL431 — 可调精密并联稳压器

BQ2970 — 锂离子/锂聚合物高级单节电池保护器 IC 系列

TLV704 — 150mA、24V、超低 IQ、低压降 (LDO) 稳压器

技术文档

相关设计资源

参考设计

参考设计

支持与培训

可获得 TI E2E™ 论坛的工程师技术支持

视频系列

视频

免责声明