PMP20070

65V 输出高脉冲电流升压转换器参考设计

PMP20070

设计文件

概述

PMP20070 参考设计是为高脉冲电流应用而设计的升压转换器。此参考设计采用 12V 或 24V 标称输入电压,提供 65V 输出(平均电流为 420mA)。此设计使用 LM5022 升压控制器,开关频率为 650kHz。此设计通过电阻器和 P 沟道 MOSFET 负载开关来限制启动电流。脉冲负载表征在 30A 下进行 2.5ms。

特性
  • 27W 连续输出功率
  • 30A 2.5ms 峰值输出电流
  • 通过负载开关来限制启动电流
  • 2 层电路板
  • 可与外部时钟同步
输出电压选项 PMP20070.1
Vin (Min) (V) 8
Vin (Max) (V) 32
Vout (Nom) (V) 65
Iout (Max) (A) .42
Output Power (W) 27.3
Isolated/Non-Isolated Non-Isolated
Input Type DC
Topology Boost- Non Sync
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我们开发的全面组装电路板仅用于测试和性能验证,不可用于销售。

设计文件和产品

设计文件

下载现成的系统文件,加快您的设计过程。

TIDUDY7.PDF (1318 K)

参考设计的测试结果,包括效率图表,测试前提条件等

TIDRU61.PDF (166 K)

设计布局和元件的详细原理图

TIDRU62.PDF (98 K)

设计元件、引用标识符和制造商/器件型号的完整列表

TIDRU63.PDF (67 K)

元件放置方式设计布局的详细原理图

TIDRU65.ZIP (538 K)

IC 元件的 3D 模型和 2D 图纸使用的文件

TIDCE60.ZIP (350 K)

包含设计 PCB 物理板层信息的设计文件

TIDRU64.PDF (423 K)

用于生成 PCB 设计布局的 PCB 层图文件

产品

在设计中包括 TI 产品和可能的替代产品。

N 沟道 MOSFET

CSD19534Q5A采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、15.1mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据表: PDF | HTML
升压控制器(外部开关)

LM50226V 至 60V 宽输入电压、电流模式升压、SEPIC 和反激式控制器

数据表: PDF | HTML

技术文档

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* 测试报告 PMP20070 Test Results 2017年 12月 6日

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