PMP20026

TPS53515 低功耗 DDR 存储器电源参考设计

PMP20026

设计文件

概述

PMP20026 参考设计可为 DDR4 存储器提供高效的低功耗解决方案。电源由 12V 的源供电,并将输出调节为 1.2V(电流高达 6A)。TPS53515 以单相降压模式运行(频率为 500kHz),可实现效率极高的转换。该解决方案的尺寸为 25mm x 15mm。电流为 5A 时,峰值效率接近 90%。当负载很轻时,效率仍然高于 40%。

特性
  • 12VIN 至 1.2VOUT(电流为 6A)
  • 峰值效率约 89%
  • DCAP3 模式,可实现快速瞬态响应
  • 带宽大于 100kHz
  • 负载调整小于 2%
输出电压选项 PMP20026.1
Vin (Min) (V) 10.8
Vin (Max) (V) 13.2
Vout (Nom) (V) 1.2
Iout (Max) (A) 6
Output Power (W) 7.2
Isolated/Non-Isolated Non-Isolated
Input Type DC
Topology Buck- Synchronous
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设计文件和产品

设计文件

下载现成的系统文件,加快您的设计过程。

TIDUBG2.PDF (943 K)

参考设计的测试结果,包括效率图表,测试前提条件等

TIDRKE9.PDF (133 K)

设计布局和元件的详细原理图

TIDRKE7.PDF (117 K)

设计元件、引用标识符和制造商/器件型号的完整列表

TIDRKF0.PDF (77 K)

元件放置方式设计布局的详细原理图

TIDCBT0.ZIP (414 K)

包含设计 PCB 物理板层信息的设计文件

产品

在设计中包括 TI 产品和可能的替代产品。

N 沟道 MOSFET

CSD16410Q5A采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、12mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据表: PDF
降压转换器(集成开关)

TPS535151.5V 至 18V、12A 同步 SWIFT™ 降压转换器

数据表: PDF

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* 测试报告 PMP20026 Test Results 2016年 1月 27日

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