PMP20025

TPS62180 低功耗 DDR 存储器电源参考设计

PMP20025

设计文件

概述

PMP20025 参考设计可为 DDR4 存储器提供紧凑型低功耗解决方案。电源由 12V 的源供电,并将输出调节为 1.2V(电流高达 6A)。TPS62180 以两相降压模式运行,允许使用非常小的外部组件。该解决方案的尺寸为 10mm x 15mm。接近满载时的效率大约为 80%。当负载很轻时,效率仍然高于 50%。

特性
  • 12VIN 至 1.2VOUT(电流为 6A)
  • 小解决方案尺寸 (10mm x 15mm)
  • 最大高度 1.2mm
  • 可提高空载性能的轻载效率
  • 可消除纹波电流的异相操作
输出电压选项 PMP20025.1
Vin (Min) (V) 10.8
Vin (Max) (V) 13.2
Vout (Nom) (V) 1.2
Iout (Max) (A) 6
Output Power (W) 7.2
Isolated/Non-Isolated Non-Isolated
Input Type DC
Topology Buck- Multiphase^Buck- Synchronous
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我们开发的全面组装电路板仅用于测试和性能验证,不可用于销售。

设计文件和产品

设计文件

下载现成的系统文件,加快您的设计过程。

TIDUBG1.PDF (1072 K)

参考设计的测试结果,包括效率图表,测试前提条件等

TIDRKF1.PDF (122 K)

设计布局和元件的详细原理图

TIDRKE6.PDF (111 K)

设计元件、引用标识符和制造商/器件型号的完整列表

TIDRKF2.PDF (77 K)

元件放置方式设计布局的详细原理图

TIDCBT1.ZIP (414 K)

包含设计 PCB 物理板层信息的设计文件

产品

在设计中包括 TI 产品和可能的替代产品。

N 沟道 MOSFET

CSD16410Q5A采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、12mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据表: PDF
降压转换器(集成开关)

TPS62180具有电源正常指示功能、1% 精度和可调节软启动功能的 4V 至 15V、6A 同步降压转换器

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* 测试报告 PMP20025 Test Results 2016年 1月 27日

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