PMP11422

高密度 72W 电池供电型同步升压参考设计

PMP11422

设计文件

概述

PMP11422 是采用 LM5121 控制器的同步升压电源。此设计可接受 5V 至 8.6V 的输入电压,并对 12V 输出电压轨进行升压,使其能够提供 6A 持续电流。LM5121 集成了输入隔离开关功能,此功能允许进行升压短路保护;该器件在发生短路事件时会关闭此开关。

特性
  • 高密度设计
  • 集成升压短路保护
  • 72W 功能
  • +/- 5% 负载瞬态
  • 过压和过流保护
输出电压选项 PMP11422.1
Vin (Min) (V) 5
Vin (Max) (V) 8.6
Vout (Nom) (V) 12
Iout (Max) (A) 6
Output Power (W) 72
Isolated/Non-Isolated Non-Isolated
Input Type DC
Topology Boost- Synchronous
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我们开发的全面组装电路板仅用于测试和性能验证,不可用于销售。

设计文件和产品

设计文件

下载现成的系统文件,加快您的设计过程。

TIDUBC9A.PDF (1579 K)

参考设计的测试结果,包括效率图表,测试前提条件等

TIDRK11.PDF (325 K)

设计布局和元件的详细原理图

TIDRK12A.PDF (125 K)

设计元件、引用标识符和制造商/器件型号的完整列表

TIDRK13.PDF (125 K)

元件放置方式设计布局的详细原理图

TIDRK15A.ZIP (377 K)

IC 元件的 3D 模型和 2D 图纸使用的文件

TIDCBP8.ZIP (290 K)

包含设计 PCB 物理板层信息的设计文件

TIDRK14.PDF (366 K)

用于生成 PCB 设计布局的 PCB 层图文件

产品

在设计中包括 TI 产品和可能的替代产品。

升压控制器(外部开关)

LM5121具有隔离开关控制的 3-65V 宽输入电压、电流模式同步升压器

数据表: PDF | HTML
N 沟道 MOSFET

CSD16415Q5采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.8mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据表: PDF

技术文档

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类型 标题 下载最新的英文版本 日期
* 测试报告 PMP11422 Test Results (Rev. A) 2016年 5月 11日

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