PMP11140

具有 PMBus 接口的高密度 4A DC-DC 降压转换器参考设计

PMP11140

设计文件

概述

PMP11140 参考设计在 22 cm x 12.5 cm 的单面电路板中展示了用于 CPU I/O 和其他应用的 1.8V 4A(不含风扇则为 3A)转换器。通过控制可进行外部同步以便改善系统噪声管理。此设计提供了一个丰富测试接口,其中包括板载动态负载。

特性
  • PMBus 编程、配置、控制和遥测
  • 85% 的峰值效率
  • 带风扇和不带风扇时的热性能都得到充分记录
  • 板载高速动态测试负载以用于检验动态性能
  • 0.9 英寸 x 0.5 英寸的总电源面积,所有零件位于同一面
  • 受 TI Fusion GUI PMBus 设计器 FUSION_DIGITAL_POWER_DESIGNER 的支持
输出电压选项 PMP11140.1
Vin (Min) (V) 4.5
Vin (Max) (V) 13.2
Vout (Nom) (V) 1.8
Iout (Max) (A) 4
Output Power (W) 7.2
Isolated/Non-Isolated Non-Isolated
Input Type DC
Topology Buck- Synchronous
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我们开发的全面组装电路板仅用于测试和性能验证,不可用于销售。

设计文件和产品

设计文件

下载现成的系统文件,加快您的设计过程。

TIDUAA9.PDF (2258 K)

参考设计的测试结果,包括效率图表,测试前提条件等

TIDRG01.PDF (196 K)

设计布局和元件的详细原理图

TIDRG02.PDF (116 K)

设计元件、引用标识符和制造商/器件型号的完整列表

TIDRG03.PDF (173 K)

元件放置方式设计布局的详细原理图

TIDCAM9.ZIP (385 K)

包含设计 PCB 物理板层信息的设计文件

TIDRG04.PDF (1381 K)

用于生成 PCB 设计布局的 PCB 层图文件

产品

在设计中包括 TI 产品和可能的替代产品。

降压控制器(外部开关)

TPS40400具有 PMBus™ 且包含遥测功能的 3V 至 20V、30A 同步降压控制器

数据表: PDF
N 沟道 MOSFET

CSD17313Q2采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、32mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据表: PDF | HTML
N 沟道 MOSFET

CSD85301Q2采用 2mm x 2mm SON 封装、具有栅极 ESD 保护的双路、27mΩ、20V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据表: PDF | HTML

技术文档

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类型 标题 下载最新的英文版本 日期
* 测试报告 PMP11140 Test Results 2015年 7月 15日
技术文章 Power Tips: Voltage mode or current mode? PDF | HTML 2015年 10月 2日

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