LMG3411EVM-031

具有逐周期过流保护的 LMG3411R150 600V 150mΩ GaN 半桥子卡

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LMG3411EVM-031

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概述

LMG3411EVM-031 在半桥中配置两个 LMG3411R150 GaN FET，具有逐周期过流保护功能和所有必要的辅助外围电路。该 EVM 需要与大型系统配合使用。

特性

输入电压高达 600V
用于评估 LMG3411R150 性能的简单开环设计
用于 PWM 信号的单个板载 PWM 输入（死区时间为 50ns）
逐周期过流保护功能
用于使用示波器探针（具有短接地弹簧探针）进行逻辑和功率级测量的便利探测点

Gallium nitride (GaN) power stages

LMG3411R150 — 具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 150mΩ GaN

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Evaluating LMG3411R150 GaN FET power stage

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子卡

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This half-bridge daughter card allows you to quickly implement a GaN-based power converter when supplied with control signals, power magnetics and capacitors.

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评估板

LMG34XX-BB-EVM — 适用于 LMG341x 系列的 LMG34xx GaN 系统级评估主板

必需

为什么需要？

This motherboard, with power magnetics and storage capacitors, allows you to implement an open-loop power converter when supplied with a FET daughter board and control signals.

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文档和相关资源

应用手册

Third quadrant operation of GaN

硬件和软件包

Evaluating LMG3411R150 GaN FET power stage

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	类型	标题		下载最新的英文版本		日期
*	EVM 用户指南	LMG3411R150-031 EVM user guide				2019年 1月 17日
	数据表	LMG341xR150 600-V, 150-mΩ, GaN FET with Integrated Driver and Protection 数据表 (Rev. B)	PDF \| HTML			2020年 2月 13日
	数据表	具有集成驱动器和保护功能的 LMG341xR150 600V 150mΩ GaN 数据表 (Rev. A)	PDF \| HTML	最新英语版本 (Rev.B)	PDF \| HTML	2019年 8月 26日
	证书	LMG3411EVM-031 EU Declaration of Conformity (DoC)				2019年 3月 18日

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