TIDA-01379

瞬态负载发生器参考设计

TIDA-01379

设计文件

概述

TIDA-01379 参考设计可产生用于评估转换器稳定性所需的快速负载瞬态信号。电路板包含三个经过调节或未经调节的可分离负载瞬态发生器,并能够支持不同的负载配置。负载可以是以地为基准的负载或是浮动负载。

特性
  • 快速瞬态
  • 浮动负载和以地为基准的负载
  • 稳压
  • 隔离式
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我们开发的全面组装电路板仅用于测试和性能验证,不可用于销售。

设计文件和产品

设计文件

下载现成的系统文件,加快您的设计过程。

ZHCU349.PDF (806 K)

参考设计概述和经过验证的性能测试数据

TIDRT30.PDF (147 K)

设计布局和元件的详细原理图

TIDRT31.PDF (61 K)

设计元件、引用标识符和制造商/器件型号的完整列表

TIDRT32.PDF (124 K)

元件放置方式设计布局的详细原理图

TIDRT34.ZIP (10374 K)

IC 元件的 3D 模型和 2D 图纸使用的文件

TIDCDX2.ZIP (478 K)

包含设计 PCB 物理板层信息的设计文件

TIDRT33.PDF (778 K)

用于生成 PCB 设计布局的 PCB 层图文件

产品

在设计中包括 TI 产品和可能的替代产品。

P 沟道 MOSFET

CSD25404Q3采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、6.5mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据表: PDF | HTML
N 沟道 MOSFET

CSD17304Q3采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、8.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据表: PDF
N 沟道 MOSFET

CSD18534Q5A采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、9.8mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据表: PDF | HTML
高速运算放大器 (GBW ≥ 50MHz)

OPA3652.2V、50MHz 低噪声单电源轨到轨运算放大器

数据表: PDF | HTML

技术文档

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类型 标题 下载最新的英文版本 日期
设计指南 瞬态负载发生器参考设计 英语版 2017年 10月 9日

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