PMP9108

36V-75Vdc 输入、5V/50W 1/8 砖型有源钳位正向 - 参考设计

PMP9108

设计文件

概述

此参考设计可从标准 48V 直流电信输入生成 5V/10A 输出。UCC2897A 控制有源钳位正向转换器功率级。CSD17309Q3 和 CSD18540Q5B 具有低栅极电荷和低导通电阻,用作自驱同步整流器,使得此设计实现超过 93% 的最大负荷效率。该设计仅使用陶瓷输出电容器实现高稳定性,且完全使用表面安装组件。此电路板布局在标准 1/8 砖型封装上。

特性
  • 行业标准八分之一砖型封装,0.9" x 2.3" (23mm x 58mm)
  • 高效(效率高于 93%)
  • 全陶瓷输出电容器
  • 自驱动同步整流器降低驱动的复杂程度
  • 100% 表面安装组件
  • 低厚度 - 最高为 0.35" (9mm) 的顶端组件高度
输出电压选项 PMP9108.1
Vin (Min) (V) 36
Vin (Max) (V) 75
Vout (Nom) (V) 5
Iout (Max) (A) 10
Output Power (W) 50
Isolated/Non-Isolated Isolated
Input Type DC
Topology Forward- Active Clamp^Forward- Synchronous
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我们开发的全面组装电路板仅用于测试和性能验证,不可用于销售。

设计文件和产品

设计文件

下载现成的系统文件,加快您的设计过程。

TIDU526.PDF (4038 K)

参考设计的测试结果,包括效率图表,测试前提条件等

TIDRAF7.PDF (135 K)

设计布局和元件的详细原理图

TIDRAF8.PDF (83 K)

设计元件、引用标识符和制造商/器件型号的完整列表

TIDRAG0.PDF (148 K)

元件放置方式设计布局的详细原理图

TIDRAG2.ZIP (557 K)

IC 元件的 3D 模型和 2D 图纸使用的文件

TIDC610.ZIP (214 K)

包含设计 PCB 物理板层信息的设计文件

TIDRAG1.PDF (1036 K)

用于生成 PCB 设计布局的 PCB 层图文件

产品

在设计中包括 TI 产品和可能的替代产品。

N 沟道 MOSFET

CSD17309Q3采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、6.3mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据表: PDF | HTML
N 沟道 MOSFET

CSD18540Q5B采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.2mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据表: PDF | HTML
PWM 控制器

UCC2897A具有 P 沟道钳位 FET 和线路过压保护的 110V 有源钳位电流模式 PWM 控制器

数据表: PDF | HTML

技术文档

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测试报告 PMP9108 Test Results 2014年 9月 10日

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