使用 TPS51216 的 3V - 4.2V 输入电压 、1.35V 输出电压 (@ 4A) DDR3 LV

(正在供货) PMP6807

描述/特性

技术文档

支持与培训

订购选项


查看TI 设计重要通告,包括使用授权,知识产权事宜及免责声明。


描述

PMP6807 参考设计使用 TPS51216 生成低电压 DRR3 电源。VDDQ 电源为 1.35V 且可达 4A。使用可达 0.5A 的输出/吸入 LDO 生成 VTT 电源 设计还利用高性能紧凑型 MOSFET (CSD17313Q2),大多数负载范围内实现超过 90% 的功效。

查看TI 设计重要通告,包括使用授权,知识产权事宜及免责声明。


  




参数
 PMP6807.1
(Output Voltage 1)
Vin (Min) (V)3
Vin (Max) (V)4.2
Vout (Nom) (V)1.35
Iout (Max) (A)4
Output Power (W)5.4
隔离/非隔离Non-Isolated
输入类型DC
拓扑Buck- Synchronous

TI 器件 (3)

订购样片,获取工具,查找此参考设计中有关 TI 产品的更多信息。

器件型号 名称 产品系列 样片或购买 设计套件与评估模块
CSD17313Q2  30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET  功率 MOSFET  样片或购买 查看设计套件与评估模块
TPS51216  DDR2/3/3L/4 存储器电源解决方案同步降压控制器,2A LDO,缓冲参考  电源管理  样片或购买 查看设计套件与评估模块
TPS51216-EP  TPS51216-EP 完整 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存储器电源解决方案同步降压  电源管理产品  样片或购买 不可用

技术文档

查看TI 设计重要通告,包括使用授权,知识产权事宜及免责声明。

用户指南 (1)
标题 摘要 类型 大小 (KB) 日期 查看次数 下载最新英文版本
PDF 2038 2013年 8月 15日 31
选择指南 (1)
标题 摘要 类型 大小 (KB) 日期 查看次数 下载最新英文版本
PDF 265 2013年 6月 18日 294
设计文件 (4)
标题 摘要 类型 大小 (KB) 日期 查看次数 下载最新英文版本
PDF 211 2013年 8月 15日 45
ZIP 160 2013年 8月 15日 24
PDF 19 2013年 8月 15日 36
PDF 56 2013年 8月 15日 52

德州仪器在线技术支持社区 (www.deyisupport.com)

德州仪器在线技术支持社区 (www.deyisupport.com)

作为my.TI的用户,您可以登陆TI官方技术支持社区向TI工程师寻求技术支持,并与业内同行交流或分享设计经验和心得。

由TI和其社区用户提供的内容仅符合当时状况,不视为TI的标准说明。请详见网站使用条款

Blogs

Wikis

访问TI WiKi