Intel IMVP6+ Atom CPU 内核电源设计

(正在供货) PMP5114

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描述

适用于嵌入式 PC 的高功率密度 Intel IMVP6+ Atom CPU 核心电源;这种设计通过使用分立的 TI NexFET 实现高功率密度和灵活配置,同时满足所有 Intel 规范

特性
  • 通过差动式电压和电流感应实现严密的电压和电流感应精度,且无论采用何种 PCB 布局均可实现精密调节
  • 总电源面积为 1 英寸 x 0.5 英寸
  • 提供多种设置来评估所有 Intel IMVP6+ CPU 核心电压稳压器功能
  • 通过板载的负载瞬变发生器进行轻松评估
  • 仅需 1x330uF 大容量电容器和 5x10uF MLCC 输出电容器
  • 最大管壳温度为 50 摄氏度(高侧 MOSFET)

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参数
 PMP5114.1
(Output Voltage 1)
Vin (Min) (V)4.5
Vin (Max) (V)15
Vout (Nom) (V)1.5
Iout (Max) (A)5
Output Power (W)7.5
隔离/非隔离Non-Isolated
输入类型DC
拓扑Buck- Synchronous
设计用于Processor

TI 器件 (6)

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器件型号 名称 产品系列 样片或购买 设计套件与评估模块
CSD16301Q2  N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET  功率 MOSFET  样片或购买 不可用
CSD16406Q3  N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET  功率 MOSFET  样片或购买 查看设计套件与评估模块
TLV3404  四路毫微瓦功率漏极开路输出比较器  放大器  样片或购买 不可用
TPS51610  用于 IMVP6+ CPU/GPU Vcore 的单相 D-CAP+™ 模式降压控制器  降压型器件  样片或购买 查看设计套件与评估模块
TPS761  低 Iq、100mA 低压降线性稳压器  线性稳压器 (LDO)  样片或购买 查看设计套件与评估模块
UCC27324  双 4A 峰值高速低侧电源 MOSFET 驱动器  MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器  样片或购买 查看设计套件与评估模块

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用户指南 (1)
标题 摘要 类型 大小 (KB) 日期 查看次数 下载最新英文版本
PDF 299 2013年 8月 20日 33
设计文件 (4)
标题 摘要 类型 大小 (KB) 日期 查看次数 下载最新英文版本
ZIP 371 2013年 8月 20日 43
PDF 421 2013年 8月 20日 9
PDF 23 2013年 8月 20日 15
PDF 153 2013年 8月 20日 28

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