PMP40355

适用于 PoE PD 的 3 类非隔离式浮动降压转换器参考设计

PMP40355

设计文件

概述

PMP40355 参考设计旨在使用 IEEE 802.3at PoE 接口和直流/直流控制器 TPS23753A 评估非隔离式 13W 降压 PD 转换器系统。该转换器能够以较低的 BOM 成本满足最高 13W 的 IEEE 802.3at 功率要求。它展现出了良好的效率、负载调节能力和相关的电气性能。

特性
  • 符合 IEEE 802.3at 标准
  • 增强的 ESD 穿越功能
  • 结合了 PoE PD 和直流/直流控制器
  • 非隔离式配置
  • 具有温度抗扰能力的独立反馈路径
输出电压选项 PMP40355.1
Vin (Min) (V) 36
Vin (Max) (V) 57
Vout (Nom) (V) 12
Iout (Max) (A) 1.5
Output Power (W) 18
Isolated/Non-Isolated Non-Isolated
Input Type DC
Topology Buck- Upside Down
企业系统
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我们开发的全面组装电路板仅用于测试和性能验证,不可用于销售。

设计文件和产品

设计文件

下载现成的系统文件,加快您的设计过程。

TIDUE32.PDF (772 K)

参考设计的测试结果,包括效率图表,测试前提条件等

TIDRV25.PDF (149 K)

设计布局和元件的详细原理图

TIDRV26.PDF (34 K)

设计元件、引用标识符和制造商/器件型号的完整列表

TIDRV27.PDF (135 K)

元件放置方式设计布局的详细原理图

TIDRV29.ZIP (29 K)

IC 元件的 3D 模型和 2D 图纸使用的文件

TIDCED0.ZIP (456 K)

包含设计 PCB 物理板层信息的设计文件

TIDRV28.PDF (1010 K)

用于生成 PCB 设计布局的 PCB 层图文件

产品

在设计中包括 TI 产品和可能的替代产品。

N 沟道 MOSFET

CSD19537Q3采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、14.5mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据表: PDF | HTML
供电设备

TPS23753A具有增强型 ESD 穿越功能的 IEEE 802.3-2005 PoE 接口和隔离转换器控制器

数据表: PDF | HTML
并联电压基准

TLV431A精度为 1% 的低电压可调节精密并联稳压器

数据表: PDF | HTML

技术文档

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* 测试报告 PMP40355 Test Results 2017年 12月 20日

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