PMP40274

24Vin、5V、6A 电源模块参考设计

PMP40274

设计文件

概述

PMP40274 是用于动力传动应用的电源模块参考设计解决方案。该模块通过反激式 CCM 同步整流器实现高效率。满负载时的效率高于 88%。此设计具有小于 0.2W 的待机功耗。集成型输入 UVLO、OVP 和输出 OVP、OCP 可提高电力系统的可靠性。此设计外形紧凑 (50.8mm X 40.6mm X 15mm)。

特性
  • 同步整流器反激式拓扑
  • 更低的待机功耗
  • 输入 UVLO、OVP 和输出 OVP
  • 具有自动重试功能的输出过流保护
  • 尺寸(长*宽*高):50.8mm*40.6mm*15mm
输出电压选项 PMP40274.1
Vin (Min) (V) 18
Vin (Max) (V) 36
Vout (Nom) (V) 5
Iout (Max) (A) 6
Output Power (W) 30
Isolated/Non-Isolated Isolated
Input Type DC
Topology Flyback- CCM
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我们开发的全面组装电路板仅用于测试和性能验证,不可用于销售。

设计文件和产品

设计文件

下载现成的系统文件,加快您的设计过程。

TIDUDH1.PDF (790 K)

参考设计的测试结果,包括效率图表,测试前提条件等

TIDRS83.PDF (161 K)

设计布局和元件的详细原理图

TIDRS84.PDF (34 K)

设计元件、引用标识符和制造商/器件型号的完整列表

TIDRS85.PDF (171 K)

元件放置方式设计布局的详细原理图

TIDRS87.ZIP (28 K)

IC 元件的 3D 模型和 2D 图纸使用的文件

TIDCDQ3.ZIP (358 K)

包含设计 PCB 物理板层信息的设计文件

TIDRS86.PDF (964 K)

用于生成 PCB 设计布局的 PCB 层图文件

产品

在设计中包括 TI 产品和可能的替代产品。

N 沟道 MOSFET

CSD18502Q5B采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.3mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据表: PDF | HTML
N 沟道 MOSFET

CSD19533Q5A采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、9.5mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据表: PDF | HTML
SR 和负载共享控制器

UCC24610次级侧同步整流器控制器

数据表: PDF | HTML
升压控制器(外部开关)

TPS402104.5V~52V 宽输入范围升压/SEPIC/反激式直流/直流控制器

数据表: PDF | HTML
并联电压基准

TLV431A精度为 1% 的低电压可调节精密并联稳压器

数据表: PDF | HTML

技术文档

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* 测试报告 PMP40274 Test Results 2017年 8月 15日

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