PMP30284

微型 LED 驱动器参考设计

PMP30284

设计文件

概述

此参考设计包含一个独特的 LED 驱动器,该驱动器由单个或两个锂离子电池供电。SEPIC 拓扑中的电路支持低至 1.8V 到 8.4V 的输入电压。可选择 TPS43000 用于处理低输入电压。分流电阻和运算放大器 (TLV6001U) 电路带有电流调节功能。

特性
  • 工作输入电压范围为 1.8V 到 8.4V
  • 合理的效率
  • 适用于具有 0.8A 电流和大约 3.3V 输出电压的 LED
  • 电路板总尺寸为 47mm x 47mm
  • 此设计已经构建和测试
输出电压选项 PMP30284.1
Vin (Min) (V) 1.8
Vin (Max) (V) 8.4
Vout (Nom) (V) 3.3
Iout (Max) (A) .8
Output Power (W) 2.64
Isolated/Non-Isolated Non-Isolated
Input Type DC
Topology Sepic- Synchronous
??image.gallery.download_zh_CN?? 观看带字幕的视频 视频

我们开发的全面组装电路板仅用于测试和性能验证,不可用于销售。

设计文件和产品

设计文件

下载现成的系统文件,加快您的设计过程。

TIDUDH9.PDF (690 K)

参考设计的测试结果,包括效率图表,测试前提条件等

TIDRSB8.PDF (99 K)

设计布局和元件的详细原理图

TIDRSB9.PDF (79 K)

设计元件、引用标识符和制造商/器件型号的完整列表

TIDRSC0.PDF (86 K)

元件放置方式设计布局的详细原理图

TIDRSC2.ZIP (572 K)

IC 元件的 3D 模型和 2D 图纸使用的文件

TIDCDR1.ZIP (32 K)

包含设计 PCB 物理板层信息的设计文件

TIDRSC1.PDF (519 K)

用于生成 PCB 设计布局的 PCB 层图文件

产品

在设计中包括 TI 产品和可能的替代产品。

N 沟道 MOSFET

CSD16340Q3采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、5.5mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据表: PDF | HTML
P 沟道 MOSFET

CSD25404Q3采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、6.5mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据表: PDF | HTML
升压控制器(外部开关)

TPS43000多拓扑(降压、升压、sepic)高频直流/直流控制器

数据表: PDF
通用运算放大器

TLV6001单路、5.5V、1MHz、RRIO 运算放大器

数据表: PDF | HTML

技术文档

star
= TI 精选文档
未找到结果。请清除搜索,并重试。
查看所有 1
类型 标题 下载最新的英文版本 日期
* 测试报告 PMP30284 Test Results 2017年 8月 21日

支持与培训

可获得 TI E2E™ 论坛的工程师技术支持

查看所有论坛主题
查看英文版所有论坛主题

所有内容均由 TI 和社区网友按“原样”提供,并不构成 TI 规范。参阅使用条款

如果您对质量、包装或订购 TI 产品有疑问,请参阅 TI 支持

视频