PMP20183

9V-15V 输入电压升压转换器 (200V@10mA) 参考设计

PMP20183

设计文件

概述

此升压转换器采用一个电压三倍器,可实现很高的输入/输出升压比。此设计的成本低,且仅需要不到 25mm x 25mm 的面积。

特性
  • 出色的效率(在 10mA 负载和 12V 输入电压下,效率大于 82%)
  • 采用具有低应力的 100V 组件
  • 低输出纹波电压 (<0.4%)
  • 25mm x 25mm 的小面积
输出电压选项 PMP20183.1
Vin (Min) (V) 9
Vin (Max) (V) 15
Vout (Nom) (V) 200
Iout (Max) (A) .01
Output Power (W) 2
Isolated/Non-Isolated Non-Isolated
Input Type DC
Topology Boost- Non Sync
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设计文件和产品

设计文件

下载现成的系统文件,加快您的设计过程。

TIDUCJ2.PDF (1847 K)

参考设计的测试结果,包括效率图表,测试前提条件等

TIDROG3.PDF (98 K)

设计布局和元件的详细原理图

TIDROG4.PDF (39 K)

设计元件、引用标识符和制造商/器件型号的完整列表

TIDROG5.PDF (52 K)

元件放置方式设计布局的详细原理图

TIDROG7.ZIP (6011 K)

IC 元件的 3D 模型和 2D 图纸使用的文件

TIDCCU6.ZIP (353 K)

包含设计 PCB 物理板层信息的设计文件

TIDROG6.PDF (277 K)

用于生成 PCB 设计布局的 PCB 层图文件

产品

在设计中包括 TI 产品和可能的替代产品。

N 沟道 MOSFET

CSD19538Q3A采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、61mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据表: PDF | HTML
升压控制器(外部开关)

LM34812.97V 至 48V 高效升压、SEPIC 和反激式控制器

数据表: PDF | HTML

技术文档

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* 测试报告 PMP20183 Test Results 2016年 11月 3日

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