PMP20080
12V 直流输入电压、混合存储立方体 (HMC)第 2 代电源参考设计
PMP20080
概述
PMP20080 是用于操作 5 条输出轨的强大设计，可应用到混合内存立方体。此参考设计将 5 个同步降压与多个不同的控制器结合使用，可实现一组经过良好调节的输出。此外，PMP20080 还支持随 PMBus 提供的可配置性。PMP20080 参考设计是完全使用标准组件设计的。
特性
- 输入为 12VC，电流为 15.5A 时输出为 0.9V，电流为 12.5A 时输出为 1.2V
- PMBus 可配置性
- 利用所有标准组件（包括磁体）
- 可提供测试报告
| 输出电压选项 | PMP20080.1 | PMP20080.2 | PMP20080.3 | PMP20080.4 | PMP20080.5 |
|---|---|---|---|---|---|
| Vin (Min) (V) | 11.5 | 11.5 | 11.5 | 11.5 | 11.5 |
| Vin (Max) (V) | 12.5 | 12.5 | 12.5 | 12.5 | 12.5 |
| Vout (Nom) (V) | 1.2 | .9 | 1.2 | 2.5 | 1.5 |
| Iout (Max) (A) | 2.6 | 15.5 | 12.5 | .315 | .04 |
| Output Power (W) | 3.12 | 13.95 | 15 | .7875 | .06 |
| Isolated/Non-Isolated | Non-Isolated | Non-Isolated | Non-Isolated | Non-Isolated | Non-Isolated |
| Input Type | DC | DC | DC | DC | DC |
| Topology | Buck- Synchronous | Buck- Synchronous | Buck- Synchronous | Buck- Synchronous | Buck- Synchronous |
我们开发的全面组装电路板仅用于测试和性能验证，不可用于销售。
设计文件和产品
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产品
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MOSFET
CSD85301Q2 — 采用 2mm x 2mm SON 封装、具有栅极 ESD 保护的双路、27mΩ、20V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
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| 类型 | 标题 | 下载最新的英文版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 测试报告 | PMP20080 Test Results | 2016年 12月 13日 |