TPS53515 低功耗 DDR 存储器电源参考设计

(正在供货) PMP20026

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描述

PMP20026 参考设计可为 DDR4 存储器提供高效的低功耗解决方案。电源由 12V 的源供电,并将输出调节为 1.2V(电流高达 6A)。TPS53515 以单相降压模式运行(频率为 500kHz),可实现效率极高的转换。该解决方案的尺寸为 25mm x 15mm。电流为 5A 时,峰值效率接近 90%。当负载很轻时,效率仍然高于 40%。

特性
  • 12VIN 至 1.2VOUT(电流为 6A)
  • 峰值效率约 89%
  • DCAP3 模式,可实现快速瞬态响应
  • 带宽大于 100kHz
  • 负载调整小于 2%

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参数
 PMP20026.1
(Output Voltage 1)
Vin (Min) (V)10.8
Vin (Max) (V)13.2
Vout (Nom) (V)1.2
Iout (Max) (A)6
Output Power (W)7.2
隔离/非隔离Non-Isolated
输入类型DC
拓扑Buck- Synchronous

TI 器件 (2)

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CSD16410Q5A  N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET  功率 MOSFET  样片或购买 查看设计套件与评估模块
TPS53515  高性能、12A 单路同步降压转换器  降压型器件  样片或购买 查看设计套件与评估模块

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用户指南 (1)
标题 摘要 类型 大小 (KB) 日期 查看次数 TI 推荐 下载最新英文版本
PDF 886 2016年 1月 27日 35
设计文件 (4)
标题 摘要 类型 大小 (KB) 日期 查看次数 下载最新英文版本
ZIP 414 2016年 1月 27日 25
PDF 77 2016年 1月 27日 7
PDF 133 2016年 1月 27日 28
PDF 117 2016年 1月 27日 9

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