TPS62180 低功耗 DDR 存储器电源参考设计

(正在供货) PMP20025

描述/特性

技术文档

支持与培训

订购选项


查看TI 设计重要通告,包括使用授权,知识产权事宜及免责声明。

主要文档

描述

PMP20025 参考设计可为 DDR4 存储器提供紧凑型低功耗解决方案。电源由 12V 的源供电,并将输出调节为 1.2V(电流高达 6A)。TPS62180 以两相降压模式运行,允许使用非常小的外部组件。该解决方案的尺寸为 10mm x 15mm。接近满载时的效率大约为 80%。当负载很轻时,效率仍然高于 50%。

特性
  • 12VIN 至 1.2VOUT(电流为 6A)
  • 小解决方案尺寸 (10mm x 15mm)
  • 最大高度 1.2mm
  • 可提高空载性能的轻载效率
  • 可消除纹波电流的异相操作

查看TI 设计重要通告,包括使用授权,知识产权事宜及免责声明。


  




参数
 PMP20025.1
(Output Voltage 1)
Vin (Min) (V)10.8
Vin (Max) (V)13.2
Vout (Nom) (V)1.2
Iout (Max) (A)6
Output Power (W)7.2
隔离/非隔离Non-Isolated
输入类型DC
拓扑Buck- Multiphase
Buck- Synchronous

TI 器件 (2)

订购样片,获取工具,查找此参考设计中有关 TI 产品的更多信息。

器件型号 名称 产品系列 样片或购买 设计套件与评估模块
CSD16410Q5A  N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET  功率 MOSFET  样片或购买 查看设计套件与评估模块
TPS62180  3-17V、6A、2 相降压转换器  降压型器件  样片或购买 查看设计套件与评估模块

技术文档

查看TI 设计重要通告,包括使用授权,知识产权事宜及免责声明。

用户指南 (1)
标题 摘要 类型 大小 (KB) 日期 查看次数 TI 推荐 下载最新英文版本
PDF 1008 2016年 1月 27日 42
设计文件 (4)
标题 摘要 类型 大小 (KB) 日期 查看次数 下载最新英文版本
ZIP 414 2016年 1月 27日 52
PDF 77 2016年 1月 27日 16
PDF 122 2016年 1月 27日 237
PDF 111 2016年 1月 27日 27

支持与培训

体验我们的支持论坛
搜索此器件的专家答案

由TI和其社区用户提供的内容仅符合当时状况,不视为TI的标准说明。
请详见网站使用条款。

Blogs